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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
1N1183AR

1N1183AR

STANDARD RECTIFIER

Microchip Technology

6,654 -
1N1183AR

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 50 V 1.19 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 40A - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 200°C
1N1199AR

1N1199AR

STANDARD RECTIFIER

Microchip Technology

7,639 -
1N1199AR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 50 V 1.2 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 12A - - Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -65°C ~ 200°C
UES806R

UES806R

RECTIFIER

Microchip Technology

8,232 -
UES806R

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
JANS1N5420US

JANS1N5420US

DIODE GEN PURP 600V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

8,245 -
JANS1N5420US

数据表

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 600 V 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns - - 3A Military MIL-PRF-19500/411 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JANS1N5418US

JANS1N5418US

DIODE GEN PURP 400V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

6,530 -
JANS1N5418US

数据表

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 400 V 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 150 V - 3A Military MIL-PRF-19500/411 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JANS1N5415US

JANS1N5415US

DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

5,914 -
JANS1N5415US

数据表

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 50 V 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns - - 3A Military MIL-PRF-19500/411 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JANS1N5419US

JANS1N5419US

DIODE GEN PURP 500V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

7,981 -
JANS1N5419US

数据表

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 500 V 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns - - 3A Military MIL-PRF-19500/411 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JANS1N5416US/TR

JANS1N5416US/TR

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

4,163 -
JANS1N5416US/TR

数据表

- SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns - - 3A Military MIL-PRF-19500/411 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JANS1N5420US/TR

JANS1N5420US/TR

DIODE GEN PURP 600V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

2,874 -
JANS1N5420US/TR

数据表

- SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns - - 3A Military MIL-PRF-19500/411 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JANS1N5418US/TR

JANS1N5418US/TR

DIODE GEN PURP 400V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

7,879 -
JANS1N5418US/TR

数据表

- SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 150 V - 3A Military MIL-PRF-19500/411 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
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