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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
S30420

S30420

RECTIFIER

Microchip Technology

4,893 -
S30420

数据表

S304 DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 200 V 1.19 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 200 V - 40A - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 200°C
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Microchip Technology

175 -
JAN1N5819UR-1

数据表

- DO-213AB, MELF (Glass) Bulk Active Schottky 45 V 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz 1A Military MIL-PRF-19500/586 Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) -65°C ~ 125°C
S30460

S30460

RECTIFIER

Microchip Technology

2,877 -
S30460

数据表

S304 DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 600 V 1.19 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 600 V - 40A - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 200°C
1N5809US

1N5809US

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

629 -
1N5809US

数据表

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 100 V 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz 3A - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
S30480

S30480

RECTIFIER

Microchip Technology

5,708 -
S30480

数据表

S304 DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 800 V 1.19 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 800 V - 40A - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 200°C
S306100

S306100

RECTIFIER

Microchip Technology

9,911 -
S306100

数据表

S306 DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1000 V 1.25 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 1000 V - 70A - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 200°C
JANTX1N5811US

JANTX1N5811US

DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

116 -
JANTX1N5811US

数据表

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 150 V 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 150 V 60pF @ 10V, 1MHz 3A Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
S306120

S306120

RECTIFIER

Microchip Technology

6,430 -
S306120

数据表

S306 DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1200 V 1.25 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 1200 V - 70A - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 200°C
1N5819UR-1

1N5819UR-1

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Microchip Technology

376 -
1N5819UR-1

数据表

- DO-213AB, MELF (Glass) Bulk Active Schottky 45 V 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz 1A - - Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) -65°C ~ 150°C
S30640

S30640

DIODE GEN PURP 400V 85A DO5

Microchip Technology

8,417 -
S30640

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 400 V 1.1 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 400 V - 85A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -55°C ~ 175°C
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