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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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1N1344AR

1N1344AR

DIODE GEN PURP 200V 16A DO4

Microchip Technology

4,017 -
1N1344AR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 1.3 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 200 V - 16A - - Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -65°C ~ 200°C
1N1401

1N1401

DIODE GEN PURP 400V 100A DO205AA

Microchip Technology

5,237 -
1N1401

数据表

- DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard 400 V 1.2 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 400 V - 100A - - Stud Mount DO-205AA (DO-8) -65°C ~ 200°C
1N1436

1N1436

DIODE GEN PURP 200V 30A DO5

Microchip Technology

4,135 -
1N1436

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 200 V 1.19 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 10 µA @ 200 V - 30A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -65°C ~ 200°C
1N5552

1N5552

DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Microchip Technology

911 -
1N5552

数据表

- B, Axial Bulk Active Standard 600 V 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 600 V - 3A - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N1581

1N1581

DIODE GEN PURP 50V 16A DO4

Microchip Technology

2,964 -
1N1581

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 50 V 1.3 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 16A - - Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -65°C ~ 200°C
1N1587

1N1587

DIODE GEN PURP 600V 3A DO4

Microchip Technology

8,414 -
1N1587

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 600 V 1.3 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 600 V - 3A - - Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -65°C ~ 200°C
1N1253

1N1253

DIODE GEN PURP DO203AA

Microchip Technology

7,178 -
1N1253

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard - - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -
1N1397

1N1397

DIODE GEN PURP 100V 100A DO205AA

Microchip Technology

8,648 -
1N1397

数据表

- DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard 100 V 1.2 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 100 V - 100A - - Stud Mount DO-205AA (DO-8) -65°C ~ 200°C
1N1437

1N1437

DIODE GEN PURP 400V 30A DO5

Microchip Technology

3,707 -
1N1437

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 400 V 1.19 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 10 µA @ 400 V - 30A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -65°C ~ 200°C
APT100S20BG

APT100S20BG

DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Microchip Technology

3,777 -
APT100S20BG

数据表

- TO-247-2 Tube Active Schottky 200 V 950 mV @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 70 ns 2 mA @ 200 V - 120A - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 150°C
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