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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
UES1106SM

UES1106SM

DIODE GEN PURP 400V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

7,773 -
UES1106SM

数据表

- SQ-MELF, A Bulk Active Standard 400 V 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - 2A - - Surface Mount A, SQ-MELF -
UES1105SM

UES1105SM

DIODE GEN PURP 300V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

6,336 -
UES1105SM

数据表

- SQ-MELF, A Bulk Active Standard 300 V 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - 2A - - Surface Mount A, SQ-MELF -
UES1106SM-1

UES1106SM-1

DIODE GEN PURP 400V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

6,362 -
UES1106SM-1

数据表

- SQ-MELF, A Bulk Active Standard 400 V 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 400 V - 2A - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
UES1104SM

UES1104SM

DIODE GEN PURP 200V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

2,802 -
UES1104SM

数据表

- SQ-MELF, A Bulk Active Standard 200 V 1 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 200 V - 2A - - Surface Mount A, SQ-MELF -
APT30D60BG

APT30D60BG

DIODE GP 600V 30A TO247

Microchip Technology

1,897 -
APT30D60BG

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 1.8 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 250 µA @ 600 V - 30A - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
1N649-1

1N649-1

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Microchip Technology

1,065 -
1N649-1

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 600 V 1 V @ 400 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 nA @ 600 V - 400mA - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
R35120

R35120

RECTIFIER

Microchip Technology

8,925 -
R35120

数据表

R35 DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1200 V 1.25 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 1200 V - 70A - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 200°C
S35120

S35120

DIODE GEN PURP 1.2KV 70A DO5

Microchip Technology

2,221 -
S35120

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1200 V 1.25 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 1200 V - 70A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -65°C ~ 200°C
1N6642UB2R

1N6642UB2R

DIODE GEN PURPOSE

Microchip Technology

6,328 -
1N6642UB2R

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
UES1106SM/TR

UES1106SM/TR

DIODE GEN PURP 400V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

6,978 -
UES1106SM/TR

数据表

- SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - 2A - - Surface Mount A, SQ-MELF -
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