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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
1N1205B

1N1205B

STANDARD RECTIFIER

Microchip Technology

4,552 -
1N1205B

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 500 V 1.2 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 500 V - 12A - - Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -65°C ~ 200°C
1N1200AR

1N1200AR

STANDARD RECTIFIER

Microchip Technology

8,922 -
1N1200AR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 1.2 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - 12A - - Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -65°C ~ 200°C
1N3670AR

1N3670AR

DIODE GEN PURP REV 700V 22A DO4

Microchip Technology

4,954 -
1N3670AR

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 700 V 1.2 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 700 V - 22A - - Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -65°C ~ 200°C
1N3670

1N3670

DIODE GEN PURP 700V 22A DO4

Microchip Technology

4,004 -
1N3670

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 700 V 1.2 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 700 V - 22A - - Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -65°C ~ 200°C
1N3670A

1N3670A

DIODE GEN PURP 700V 22A DO4

Microchip Technology

3,159 -
1N3670A

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 700 V 1.2 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 700 V - 22A - - Stud Mount DO-4 (DO-203AA) -65°C ~ 200°C
1N5802URS/TR

1N5802URS/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

5,446 -
1N5802URS/TR

数据表

- SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 50 V 25pF @ 10V, 1MHz 1A - - Surface Mount A, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
1N5806URS/TR

1N5806URS/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

3,877 -
1N5806URS/TR

数据表

- SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 150 V 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 150 V 25pF @ 10V, 1MHz 1A - - Surface Mount A, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
1N5804URS/TR

1N5804URS/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

9,048 -
1N5804URS/TR

数据表

- SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 100 V 25pF @ 10V, 1MHz 1A - - Surface Mount A, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JANHCA1N6761

JANHCA1N6761

DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41

Microchip Technology

8,893 -
JANHCA1N6761

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 690 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 100 V - 1A - - Through Hole DO-41 -55°C ~ 125°C
JANS1N5802

JANS1N5802

DIODE GEN PURP 50V 2A A AXIAL

Microchip Technology

5,541 -
JANS1N5802

数据表

- A, Axial Bulk Active Standard 50 V 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns - - 2A Military MIL-PRF-19500/477 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
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