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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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LSM845GE3/TR13

LSM845GE3/TR13

DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO215AB

Microchip Technology

5,808 -
LSM845GE3/TR13

数据表

- DO-215AB, SMC Gull Wing Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 520 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 45 V - 8A - - Surface Mount DO-215AB -55°C ~ 150°C
UPS615E3/TR13

UPS615E3/TR13

DIODE SCHOTTKY 15V 6A POWERMITE

Microchip Technology

6,275 -
UPS615E3/TR13

数据表

- DO-216AA Tape & Reel (TR) Active Schottky 15 V 320 mV @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 15 V - 6A - - Surface Mount Powermite -55°C ~ 150°C
JANTX1N4148-1/TR

JANTX1N4148-1/TR

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Microchip Technology

4,891 -
JANTX1N4148-1/TR

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 1.2 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 20 ns 500 nA @ 75 V 4pF @ 0V, 1MHz 200mA Military MIL-PRF-19500/116 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
1N645

1N645

DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35

Microchip Technology

6,341 -
1N645

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 225 V 1 V @ 400 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 200 nA @ 225 V - 400mA - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
1N645A

1N645A

DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35

Microchip Technology

6,689 -
1N645A

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 225 V 1 V @ 400 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 200 nA @ 225 V - 400mA - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
1N4150

1N4150

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Microchip Technology

4,420 -
1N4150

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 50 V 1 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 50 V 2.5pF @ 0V, 1MHz 200mA - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
UPS1040E3/TR13

UPS1040E3/TR13

DIODE SCHOTTKY 40V 10A POWERMITE

Microchip Technology

4,747 -
UPS1040E3/TR13

数据表

- Powermite®3 Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 510 mV @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 300 µA @ 35 V 700pF @ 4V, 1MHz 10A - - Surface Mount Powermite 3 -55°C ~ 150°C
HSM3100GE3/TR13

HSM3100GE3/TR13

DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO215AB

Microchip Technology

4,352 -
HSM3100GE3/TR13

数据表

- DO-215AB, SMC Gull Wing Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 810 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 100 V - 3A - - Surface Mount DO-215AB -55°C ~ 175°C
HSM3100JE3/TR13

HSM3100JE3/TR13

DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB

Microchip Technology

3,806 -
HSM3100JE3/TR13

数据表

- DO-214AB, SMC Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 810 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 100 V - 3A - - Surface Mount DO-214AB -55°C ~ 175°C
HSM380GE3/TR13

HSM380GE3/TR13

DIODE SCHOTTKY 80V 3A DO215AB

Microchip Technology

3,973 -
HSM380GE3/TR13

数据表

- DO-215AB, SMC Gull Wing Tape & Reel (TR) Active Schottky 80 V 810 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 80 V - 3A - - Surface Mount DO-215AB -55°C ~ 175°C
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