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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
HSM330GE3/TR13

HSM330GE3/TR13

DIODE SCHOTTKY 3A 30V SMCG

Microchip Technology

8,749 -
HSM330GE3/TR13

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
HSM330JE3/TR13

HSM330JE3/TR13

DIODE SCHOTTKY 3A 30V SMCJ

Microchip Technology

4,933 -
HSM330JE3/TR13

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
HSM340GE3/TR13

HSM340GE3/TR13

DIODE SCHOTTKY 3A 40V SMCG

Microchip Technology

4,419 -
HSM340GE3/TR13

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
HSM340JE3/TR13

HSM340JE3/TR13

DIODE SCHOTTKY 3A 40V SMCJ

Microchip Technology

5,294 -
HSM340JE3/TR13

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
UPS6150E3/TR13

UPS6150E3/TR13

DIODE SCHOTTKY 150V 6A POWERMITE

Microchip Technology

3,213 -
UPS6150E3/TR13

数据表

- DO-216AA Tape & Reel (TR) Active Schottky 150 V 750 mV @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 150 V - 6A - - Surface Mount Powermite -55°C ~ 150°C
HSM540JE3/TR13

HSM540JE3/TR13

DIODE SCHOTTKY 5A 40V SMCJ

Microchip Technology

3,170 -
HSM540JE3/TR13

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
HSM550JE3/TR13

HSM550JE3/TR13

DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AB

Microchip Technology

6,810 -
HSM550JE3/TR13

数据表

- DO-214AB, SMC Tape & Reel (TR) Active Schottky 50 V 650 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 250 µA @ 50 V - 5A - - Surface Mount DO-214AB -55°C ~ 175°C
UPS10100E3/TR13

UPS10100E3/TR13

DIODE SCHOTTKY 10A 100V PWRMITE

Microchip Technology

6,539 -
UPS10100E3/TR13

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
1N4454

1N4454

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Microchip Technology

2,267 -
1N4454

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 75 V 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 50 V - 200mA - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
1N4454-1

1N4454-1

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Microchip Technology

5,717 -
1N4454-1

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 75 V 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 50 V - 200mA - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
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