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制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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UPR20E3/TR13

UPR20E3/TR13

DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE

Microchip Technology

7,057 -
UPR20E3/TR13

数据表

- DO-216AA Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 200 V - 2A - - Surface Mount Powermite -55°C ~ 150°C
UPR30E3/TR13

UPR30E3/TR13

DIODE GEN PURP 300V 2A POWERMITE

Microchip Technology

5,544 -
UPR30E3/TR13

数据表

- DO-216AA Tape & Reel (TR) Active Standard 300 V 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 300 V - 2A - - Surface Mount Powermite -55°C ~ 150°C
UPR40E3/TR13

UPR40E3/TR13

DIODE GEN PURP 400V 2A POWERMITE

Microchip Technology

4,548 -
UPR40E3/TR13

数据表

- DO-216AA Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 400 V - 2A - - Surface Mount Powermite -55°C ~ 150°C
UPR30E3/TR7

UPR30E3/TR7

DIODE GEN PURP 300V 2A POWERMITE

Microchip Technology

4,110 -
UPR30E3/TR7

数据表

- DO-216AA Tape & Reel (TR) Active Standard 300 V 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 300 V - 2A - - Surface Mount Powermite -55°C ~ 150°C
UFS115JE3/TR13

UFS115JE3/TR13

DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA

Microchip Technology

3,577 -
UFS115JE3/TR13

数据表

- DO-214BA Tape & Reel (TR) Active Standard 150 V 950 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 150 V - 1A - - Surface Mount DO-214BA -55°C ~ 175°C
HSM845JE3/TR13

HSM845JE3/TR13

DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB

Microchip Technology

8,066 -
HSM845JE3/TR13

数据表

- DO-214AB, SMC Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 620 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 250 µA @ 45 V - 8A - - Surface Mount DO-214AB -55°C ~ 175°C
1N4151/TR

1N4151/TR

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Microchip Technology

2,893 -
1N4151/TR

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 1 V @ 50 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 2 ns 50 nA @ 50 V - 200mA - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
LSM335J/TR13

LSM335J/TR13

DIODE SCHOTTKY 35V 3A DO214AB

Microchip Technology

6,906 -
LSM335J/TR13

数据表

- DO-214AB, SMC Tape & Reel (TR) Active Schottky 35 V 520 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.5 mA @ 35 V - 3A - - Surface Mount DO-214AB -55°C ~ 150°C
LSM340J/TR13

LSM340J/TR13

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB

Microchip Technology

3,594 -
LSM340J/TR13

数据表

- DO-214AB, SMC Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 520 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.5 mA @ 40 V - 3A - - Surface Mount DO-214AB -55°C ~ 150°C
1N4149

1N4149

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Microchip Technology

3,252 -
1N4149

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 75 V 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 20 nA @ 20 V - 200mA - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
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