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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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1N3070-1

1N3070-1

DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7

Microchip Technology

257 -
1N3070-1

数据表

- DO-204AA, DO-7, Axial Bulk Active Standard 175 V 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 50 ns - - 100mA - - Through Hole DO-7 -65°C ~ 175°C
1N3070UR-1/TR

1N3070UR-1/TR

SIGNAL OR COMPUTER DIODE

Microchip Technology

135 -
1N3070UR-1/TR

数据表

- DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Standard 175 V 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 50 ns 100 nA @ 175 V - 100mA - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
JANTX1N5809US

JANTX1N5809US

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

108 -
JANTX1N5809US

数据表

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 100 V 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz 3A Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
1N5418US

1N5418US

DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B

Microchip Technology

102 -
1N5418US

数据表

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 400 V 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 400 V - 3A - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
1N6628

1N6628

DIODE GEN PURP 600V 1.75A A-PAK

Microchip Technology

102 -
1N6628

数据表

- A, Axial Bulk Active Standard 600 V 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 2 µA @ 600 V - 1.75A - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
CDLL5711/TR

CDLL5711/TR

DIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO213AA

Microchip Technology

101 -
CDLL5711/TR

数据表

- DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Schottky 50 V 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz 33mA - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
JANTX1N5711UR-1/TR

JANTX1N5711UR-1/TR

DIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO213AA

Microchip Technology

829 -
JANTX1N5711UR-1/TR

数据表

- DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Schottky 50 V 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz 33mA Military MIL-PRF-19500/444 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
1N5822

1N5822

SCHOTTKY DO201 40V 3A 150C

Microchip Technology

131 -
1N5822

数据表

- B, Axial Bulk Active Schottky 40 V 500 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 40 V - 3A - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 125°C
JANTX1N3891

JANTX1N3891

DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Microchip Technology

96 -
JANTX1N3891

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V 1.5 V @ 38 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 10 µA @ 200 V - 12A Military MIL-PRF-19500/304 Stud Mount DO-203AA -65°C ~ 175°C
HSM190JE3/TR13

HSM190JE3/TR13

DIODE SCHOTTKY 90V 1A DO214BA

Microchip Technology

6,439 -
HSM190JE3/TR13

数据表

- DO-214BA Tape & Reel (TR) Active Schottky 90 V 840 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 90 V - 1A - - Surface Mount DO-214BA -55°C ~ 175°C
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