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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度
MMIX1G120N120A3V1

MMIX1G120N120A3V1

IGBT 1200V 220A 400W SMPD

IXYS

7,047 -
MMIX1G120N120A3V1

数据表

GenX3™ 24-PowerSMD, 21 Leads Tube Obsolete PT 1200 V 700 A 2.2V @ 15V, 100A 400 W Surface Mount 10mJ (on), 33mJ (off) Standard 220 A 420 nC 40ns/490ns - 960V, 100A, 1Ohm, 15V 24-SMPD - 700 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
IXGT25N250HV

IXGT25N250HV

IGBT 2500V 60A TO268HV

IXYS

3,747 -
IXGT25N250HV

数据表

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 2500 V 200 A 2.9V @ 15V, 25A 250 W Surface Mount - Standard 60 A 75 nC - - - TO-268HV (IXGT) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXBH32N300HV

IXBH32N300HV

DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2

IXYS

3,593 -
IXBH32N300HV

数据表

BIMOSFET™ TO-247-3 Variant Tube Active - 3000 V 280 A 3.2V @ 15V, 32A 400 W Through Hole - Standard 80 A 142 nC - - - TO-247HV - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXGT25N250-T/R

IXGT25N250-T/R

IGBT NPT 2500V 60A TO268HV

IXYS

4,726 -
IXGT25N250-T/R

数据表

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active NPT 2500 V 200 A 2.9V @ 15V, 25A 250 W Surface Mount - Standard 60 A 75 nC 68ns/209ns - 1250V, 50A, 5Ohm, 15V TO-268HV (IXGT) - 233 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
IXBF42N300

IXBF42N300

IGBT 3000V ISOPLUSI4

IXYS

2,852 -
IXBF42N300

数据表

BIMOSFET™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Active - 3000 V 380 A 3V @ 15V, 42A 240 W Through Hole - Standard 60 A 200 nC 72ns/445ns - 1500V, 42A, 20Ohm, 15V ISOPLUS i4-PAC™ - 1.7 µs -55°C ~ 150°C (TJ)
IXBT20N360HV

IXBT20N360HV

IGBT 3600V 70A TO268AA

IXYS

6,080 -
IXBT20N360HV

数据表

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Not For New Designs - 3600 V 220 A 3.4V @ 15V, 20A 430 W Surface Mount 15.5mJ (on), 4.3mJ (off) Standard 70 A 110 nC 18ns/238ns - 1500V, 20A, 10Ohm, 15V TO-268AA - 1.7 µs -55°C ~ 150°C (TJ)
IXG65I3300KN

IXG65I3300KN

IGBT PT 3300V 85A ISOPLUS264

IXYS

6,988 -
IXG65I3300KN

数据表

X2PT™ ISOPLUS264™ Tube Active PT 3300 V - - - Through Hole - Standard 85 A - - - - ISOPLUS264™ - - -
IXG50I4500KN

IXG50I4500KN

IGBT PT 4500V 74A ISOPLUS264

IXYS

5,404 -
IXG50I4500KN

数据表

X2PT™ ISOPLUS264™ Tube Active PT 4500 V - - - Through Hole - Standard 74 A - - - - ISOPLUS264™ - - -
IXBX55N300

IXBX55N300

IGBT 3000V 130A 625W PLUS247

IXYS

4,057 -
IXBX55N300

数据表

BIMOSFET™ TO-247-3 Variant Tube Not For New Designs - 3000 V 600 A 3.2V @ 15V, 55A 625 W Through Hole - Standard 130 A 335 nC - - - PLUS247™-3 - 1.9 µs -55°C ~ 150°C (TJ)
IXBF55N300

IXBF55N300

DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT I4-P

IXYS

2,073 -
IXBF55N300

数据表

BIMOSFET™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Active - 3000 V 600 A 3.2V @ 15V, 55A 357 W Through Hole - Standard 86 A 335 nC - - - ISOPLUS i4-PAC™ - 1.9 µs -55°C ~ 150°C (TJ)
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