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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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IXGH36N60B3C1

IXGH36N60B3C1

IGBT 600V 75A 250W TO247

IXYS

6,817 -
IXGH36N60B3C1

数据表

GenX3™ TO-247-3 Tube Obsolete PT 600 V 200 A 1.8V @ 15V, 30A 250 W Through Hole 390µJ (on), 800µJ (off) Standard 75 A 80 nC 20ns/125ns - 400V, 30A, 5Ohm, 15V TO-247AD - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXGH48N60C3C1

IXGH48N60C3C1

IGBT 600V 75A 300W TO247

IXYS

9,205 -
IXGH48N60C3C1

数据表

GenX3™ TO-247-3 Tube Obsolete PT 600 V 250 A 2.5V @ 15V, 30A 300 W Through Hole 330µJ (on), 230µJ (off) Standard 75 A 77 nC 19ns/60ns - 400V, 30A, 3Ohm, 15V TO-247AD - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXGK82N120A3

IXGK82N120A3

IGBT 1200V 260A 1250W TO264

IXYS

7,576 -
IXGK82N120A3

数据表

GenX3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 1200 V 580 A 2.05V @ 15V, 82A 1250 W Through Hole 5.5mJ (on), 12.5mJ (off) Standard 260 A 340 nC 34ns/265ns - 600V, 80A, 2Ohm, 15V TO-264 (IXGK) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
MMIX1X340N65B4

MMIX1X340N65B4

IGBT 650V 450A 24-SMPD

IXYS

8,266 -
MMIX1X340N65B4

数据表

XPT™, GenX4™ 24-PowerSMD, 21 Leads Tube Active - 650 V 1200 A 1.7V @ 15V, 160A 1200 W Surface Mount 4.4mJ (on), 3.5mJ (off) Standard 450 A 553 nC 62ns/245ns - 400V, 100A, 1Ohm, 15V 24-SMPD - 76 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
IXBA16N170AHV-TRL

IXBA16N170AHV-TRL

DISC IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT TO-

IXYS

8,603 -
IXBA16N170AHV-TRL

数据表

BIMOSFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active - 1700 V 40 A 6V @ 15V, 10A 150 W Surface Mount 1.2mJ (off) Standard 16 A 65 nC 15ns/160ns - 1360V, 10A, 10Ohm, 15V TO-263HV - 360 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
IXGF20N300

IXGF20N300

IGBT 3000V 22A ISOPLUSI4

IXYS

8,217 -
IXGF20N300

数据表

- i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete - 3000 V 103 A 3.2V @ 15V, 20A 100 W Through Hole - Standard 22 A 31 nC - - - ISOPLUS i4-PAC™ - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXGF36N300

IXGF36N300

IGBT 3000V 36A 160W I4-PAK

IXYS

5,277 -
IXGF36N300

数据表

- i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete - 3000 V 400 A 5.2V @ 15V, 100A 160 W Through Hole - Standard 36 A 136 nC - - - ISOPLUS i4-PAC™ - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXGX82N120A3

IXGX82N120A3

IGBT 1200V 260A 1250W PLUS247

IXYS

7,732 -
IXGX82N120A3

数据表

GenX3™ TO-247-3 Variant Tube Active PT 1200 V 580 A 2.05V @ 15V, 82A 1250 W Through Hole 5.5mJ (on), 12.5mJ (off) Standard 260 A 340 nC 34ns/265ns - 600V, 80A, 2Ohm, 15V PLUS247™-3 - - -
IXGK120N120B3

IXGK120N120B3

IGBT 1200V 200A 830W TO264

IXYS

4,832 -
IXGK120N120B3

数据表

GenX3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 1200 V 370 A 3V @ 15V, 100A 830 W Through Hole 5.5mJ (on), 5.8mJ (off) Standard 200 A 470 nC 36ns/275ns - 600V, 100A, 2Ohm, 15V TO-264 (IXGK) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXBX75N170A

IXBX75N170A

IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247

IXYS

6,962 -
IXBX75N170A

数据表

BIMOSFET™ TO-247-3 Variant Tube Active - 1700 V 300 A 6V @ 15V, 42A 1040 W Through Hole 3.8mJ (off) Standard 110 A 358 nC 26ns/418ns - 1360V, 42A, 1Ohm, 15V PLUS247™-3 - 360 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
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