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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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IXGT25N250

IXGT25N250

IGBT 2500V TO-268

IXYS

3,361 -
IXGT25N250

数据表

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active NPT 2500 V - 2.9V @ 15V, 25A 250 W Surface Mount - Standard 60 A - - - - TO-268AA - - -
IXBT20N300HV

IXBT20N300HV

IGBT 3000V 50A TO268AA

IXYS

5,066 -
IXBT20N300HV

数据表

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Not For New Designs - 3000 V 140 A 3.2V @ 15V, 20A 250 W Surface Mount - Standard 50 A 105 nC - - - TO-268AA - 1.35 µs -55°C ~ 150°C (TJ)
IXBF40N160

IXBF40N160

IGBT 1600V 28A ISOPLUSI4

IXYS

5,249 -
IXBF40N160

数据表

BIMOSFET™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete - 1600 V - 7.1V @ 15V, 20A 250 W Through Hole - Standard 28 A 130 nC - - 960V, 25A, 22Ohm, 15V ISOPLUS i4-PAC™ - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXXK200N65B4

IXXK200N65B4

IGBT 650V 370A 1150W TO264

IXYS

9,045 -
IXXK200N65B4

数据表

GenX4™, XPT™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 650 V 1000 A 1.7V @ 15V, 160A 1150 W Through Hole 4.4mJ (on), 2.2mJ (off) Standard 370 A 553 nC 62ns/245ns - 400V, 100A, 1Ohm, 15V TO-264 (IXXK) - - -55°C ~ 175°C (TJ)
IXYK120N120B3

IXYK120N120B3

DISC IGBT XPT-GENX3 TO-264(3)

IXYS

4,256 -
IXYK120N120B3

数据表

XPT™, GenX3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 1200 V 800 A 2.2V @ 15V, 100A 1500 W Through Hole 9.7mJ (on), 21.5mJ (off) Standard 320 A 400 nC 30ns/340ns - 960V, 100A, 1Ohm, 15V TO-264 (IXYK) - 54 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
IXYN300N65A3

IXYN300N65A3

DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227B(MIN

IXYS

5,463 -
IXYN300N65A3

数据表

XPT™, GenX3™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active PT 650 V 1600 A 1.6V @ 15V, 100A 1500 W Chassis Mount 7.8mJ (on), 4.7mJ (off) Standard 470 A 565 nC 42ns/190ns - 400V, 100A, 1Ohm, 15V SOT-227B - 125 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
IXYX120N120B3

IXYX120N120B3

IGBT

IXYS

6,775 -
IXYX120N120B3

数据表

XPT™, GenX3™ TO-247-3 Variant Tube Active - 1200 V 800 A 2.2V @ 15V, 100A 1500 W Through Hole 9.7mJ (on), 21.5mJ (off) Standard 320 A 400 nC 30ns/340ns - 960V, 100A, 1Ohm, 15V PLUS247™-3 - 54 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
IXBF12N300

IXBF12N300

IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4

IXYS

7,490 -
IXBF12N300

数据表

BIMOSFET™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Not For New Designs - 3000 V 98 A 3.2V @ 15V, 12A 125 W Through Hole - Standard 26 A 62 nC - - - ISOPLUS i4-PAC™ - 1.4 µs -55°C ~ 150°C (TJ)
IXG70IF1200NA

IXG70IF1200NA

IGBT PT 1200V 130A SOT227B

IXYS

3,156 -
IXG70IF1200NA

数据表

X2PT™, XPT™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active PT 1200 V - - - Chassis Mount - Standard 130 A - - - - SOT-227B - - -
IXXN340N65B4

IXXN340N65B4

IGBT MODULE DISC IGBT SOT227B

IXYS

8,406 -
IXXN340N65B4

数据表

GenX4™, XPT™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active PT 650 V 1200 A 1.7V @ 15V, 160A 1500 W Chassis Mount 4.4mJ (on), 2.2mJ (off) Standard 520 A 553 nC 62ns/245ns - 400V, 100A, 1Ohm, 15V SOT-227B - 65 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
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