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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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IXGH25N250

IXGH25N250

IGBT 2500V 60A 250W TO247

IXYS

2,314 -
IXGH25N250

数据表

- TO-247-3 Tube Active NPT 2500 V 200 A 5.2V @ 15V, 75A 250 W Through Hole - Standard 60 A 75 nC - - - TO-247AD - - -
MMIX1G320N60B3

MMIX1G320N60B3

IGBT PT 600V 400A 24SMPD

IXYS

4,686 -
MMIX1G320N60B3

数据表

GenX3™ 24-PowerSMD, 21 Leads Tube Obsolete PT 600 V 1000 A 1.5V @ 15V, 100A 1000 W Surface Mount 2.7mJ (on), 5mJ (off) Standard 400 A 585 nC 44ns/250ns - 480V, 100A, 1Ohm, 15V 24-SMPD - 66 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
IXYT12N250CV1HV

IXYT12N250CV1HV

IGBT 2500V 28A TO268HV

IXYS

6,488 -
IXYT12N250CV1HV

数据表

XPT™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 2500 V 80 A 4.5V @ 15V, 12A 310 W Surface Mount 3.56mJ (on), 1.7mJ (off) Standard 28 A 56 nC 12ns/167ns - 1250V, 12A, 10Ohm, 15V TO-268HV (IXYT) - 16 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
IXGA20N250HV

IXGA20N250HV

DISC IGBT NPT-VERY HI VOLTAGE TO

IXYS

8,384 -
IXGA20N250HV

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active - 2500 V 105 A 3.1V @ 15V, 20A 150 W Surface Mount - Standard 30 A 53 nC - - - TO-263HV - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXBF20N300

IXBF20N300

IGBT 3000V 34A ISOPLUSI4

IXYS

4,455 -
IXBF20N300

数据表

BIMOSFET™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete - 3000 V 150 A 3.2V @ 15V, 20A 150 W Through Hole - Standard 34 A 105 nC - - - ISOPLUS i4-PAC™ - 1.35 µs -55°C ~ 150°C (TJ)
IXBH10N300HV

IXBH10N300HV

IGBT 3000V 20A 140W TO247AD

IXYS

3,123 -
IXBH10N300HV

数据表

BIMOSFET™ TO-247-3 Tube Active - 3000 V 88 A 2.8V @ 15V, 10A 180 W Through Hole - Standard 34 A 46 nC 36ns/100ns - 960V, 10A, 10Ohm, 15V TO-247HV (IXBH) - 1.6 µs -55°C ~ 150°C (TJ)
IXBT32N300HV

IXBT32N300HV

IGBT 3000V 80A TO268HV

IXYS

8,252 -
IXBT32N300HV

数据表

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 3000 V 280 A 3.2V @ 15V, 32A 400 W Surface Mount - Standard 80 A 142 nC 50ns/160ns - 1250V, 32A, 2Ohm, 15V TO-268HV (IXBT) - 1500 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
IXBH14N300HV

IXBH14N300HV

DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2

IXYS

5,891 -
IXBH14N300HV

数据表

BIMOSFET™ TO-247-3 Tube Active - 3000 V 120 A 2.7V @ 15V, 14A 200 W Through Hole - Standard 38 A 62 nC - - - TO-247HV (IXBH) - 1.4 µs -55°C ~ 150°C (TJ)
IXGF20N250

IXGF20N250

IGBT 2500V 23A ISOPLUSI4

IXYS

2,701 -
IXGF20N250

数据表

- i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete - 2500 V 105 A 3.1V @ 15V, 20A 100 W Through Hole - Standard 23 A 53 nC - - - ISOPLUS i4-PAC™ - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXGF30N400

IXGF30N400

IGBT 4000V 30A 160W I4-PAK

IXYS

9,830 -
IXGF30N400

数据表

- i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Active - 4000 V 360 A 5.2V @ 15V, 90A 160 W Through Hole - Standard 30 A 135 nC - - - ISOPLUS i4-PAC™ - - -55°C ~ 150°C (TJ)
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