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单个 IGBTs

制造商	系列	封装/外壳	包装	产品状态	IGBT 类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大值）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	导通电压 (Vce(on)）（最大值）@ Vge, Ic	功率 - 最大值	安装类型	开关能量	输入类型	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	栅极电荷	导通/关断时间 (Td) @ 25°C	认证	测试条件	供应商设备封装	等级	反向恢复时间 (trr)	工作温度
Alpha & Omega Semiconductor Inc. Bourns Inc. Diodes Incorporated Diotec Semiconductor Fairchild Semiconductor GeneSiC Semiconductor Harris Corporation Infineon Technologies International Rectifier IXYS Littelfuse Inc. Micro Commercial Co Microchip Technology Microsemi Corporation Motorola Nexperia USA Inc. onsemi Panjit International Inc. Powerex Inc. Qualcomm Renesas ROHM Semiconductor Sanken Electric USA Inc. Sanyo Semikron SemiQ STMicroelectronics Toshiba Semiconductor and Storage Watech Electronics WeEn Semiconductors

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厂商料号	库存情况	价格	数量	数据表	系列	封装/外壳	包装	产品状态	IGBT 类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大值）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	导通电压 (Vce(on)）（最大值）@ Vge, Ic	功率 - 最大值	安装类型	开关能量	输入类型	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	栅极电荷	导通/关断时间 (Td) @ 25°C	认证	测试条件	供应商设备封装	等级	反向恢复时间 (trr)	工作温度
IXBT32N300HV IGBT 3000V 80A TO268HV IXYS	8,252	-	询价单	数据表	BIMOSFET™	TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA	Tube	Active	-	3000 V	280 A	3.2V @ 15V, 32A	400 W	Surface Mount	-	Standard	80 A	142 nC	50ns/160ns	-	1250V, 32A, 2Ohm, 15V	TO-268HV (IXBT)	-	1500 ns	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXBH14N300HV DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2 IXYS	5,891	-	询价单	数据表	BIMOSFET™	TO-247-3	Tube	Active	-	3000 V	120 A	2.7V @ 15V, 14A	200 W	Through Hole	-	Standard	38 A	62 nC	-	-	-	TO-247HV (IXBH)	-	1.4 µs	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXGF20N250 IGBT 2500V 23A ISOPLUSI4 IXYS	2,701	-	询价单	数据表	-	i4-Pac™-5 (3 Leads)	Tube	Obsolete	-	2500 V	105 A	3.1V @ 15V, 20A	100 W	Through Hole	-	Standard	23 A	53 nC	-	-	-	ISOPLUS i4-PAC™	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXGF30N400 IGBT 4000V 30A 160W I4-PAK IXYS	9,830	-	询价单	数据表	-	i4-Pac™-5 (3 Leads)	Tube	Active	-	4000 V	360 A	5.2V @ 15V, 90A	160 W	Through Hole	-	Standard	30 A	135 nC	-	-	-	ISOPLUS i4-PAC™	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
MMIX1G120N120A3V1 IGBT 1200V 220A 400W SMPD IXYS	7,047	-	询价单	数据表	GenX3™	24-PowerSMD, 21 Leads	Tube	Obsolete	PT	1200 V	700 A	2.2V @ 15V, 100A	400 W	Surface Mount	10mJ (on), 33mJ (off)	Standard	220 A	420 nC	40ns/490ns	-	960V, 100A, 1Ohm, 15V	24-SMPD	-	700 ns	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXGT25N250HV IGBT 2500V 60A TO268HV IXYS	3,747	-	询价单	数据表	-	TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA	Tube	Active	-	2500 V	200 A	2.9V @ 15V, 25A	250 W	Surface Mount	-	Standard	60 A	75 nC	-	-	-	TO-268HV (IXGT)	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXBH32N300HV DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2 IXYS	3,593	-	询价单	数据表	BIMOSFET™	TO-247-3 Variant	Tube	Active	-	3000 V	280 A	3.2V @ 15V, 32A	400 W	Through Hole	-	Standard	80 A	142 nC	-	-	-	TO-247HV	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXGT25N250-T/R IGBT NPT 2500V 60A TO268HV IXYS	4,726	-	询价单	数据表	-	TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA	Tape & Reel (TR)	Active	NPT	2500 V	200 A	2.9V @ 15V, 25A	250 W	Surface Mount	-	Standard	60 A	75 nC	68ns/209ns	-	1250V, 50A, 5Ohm, 15V	TO-268HV (IXGT)	-	233 ns	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXBF42N300 IGBT 3000V ISOPLUSI4 IXYS	2,852	-	询价单	数据表	BIMOSFET™	i4-Pac™-5 (3 Leads)	Tube	Active	-	3000 V	380 A	3V @ 15V, 42A	240 W	Through Hole	-	Standard	60 A	200 nC	72ns/445ns	-	1500V, 42A, 20Ohm, 15V	ISOPLUS i4-PAC™	-	1.7 µs	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXBT20N360HV IGBT 3600V 70A TO268AA IXYS	6,080	-	询价单	数据表	BIMOSFET™	TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA	Tube	Not For New Designs	-	3600 V	220 A	3.4V @ 15V, 20A	430 W	Surface Mount	15.5mJ (on), 4.3mJ (off)	Standard	70 A	110 nC	18ns/238ns	-	1500V, 20A, 10Ohm, 15V	TO-268AA	-	1.7 µs	-55°C ~ 150°C (TJ)
DF400R07W2S5FB77BPSA1 LOW POWER EASY Infineon Technologies	3,845	-	询价单	数据表	-	-	Tray	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IXG65I3300KN IGBT PT 3300V 85A ISOPLUS264 IXYS	6,988	-	询价单	数据表	X2PT™	ISOPLUS264™	Tube	Active	PT	3300 V	-	-	-	Through Hole	-	Standard	85 A	-	-	-	-	ISOPLUS264™	-	-	-
IXG50I4500KN IGBT PT 4500V 74A ISOPLUS264 IXYS	5,404	-	询价单	数据表	X2PT™	ISOPLUS264™	Tube	Active	PT	4500 V	-	-	-	Through Hole	-	Standard	74 A	-	-	-	-	ISOPLUS264™	-	-	-
IXBX55N300 IGBT 3000V 130A 625W PLUS247 IXYS	4,057	-	询价单	数据表	BIMOSFET™	TO-247-3 Variant	Tube	Not For New Designs	-	3000 V	600 A	3.2V @ 15V, 55A	625 W	Through Hole	-	Standard	130 A	335 nC	-	-	-	PLUS247™-3	-	1.9 µs	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXBF55N300 DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT I4-P IXYS	2,073	-	询价单	数据表	BIMOSFET™	i4-Pac™-5 (3 Leads)	Tube	Active	-	3000 V	600 A	3.2V @ 15V, 55A	357 W	Through Hole	-	Standard	86 A	335 nC	-	-	-	ISOPLUS i4-PAC™	-	1.9 µs	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXBF50N360 IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK IXYS	4,195	-	询价单	数据表	BIMOSFET™	i4-Pac™-5 (3 Leads)	Tube	Obsolete	-	3600 V	420 A	2.9V @ 15V, 50A	290 W	Through Hole	-	Standard	70 A	210 nC	46ns/205ns	-	960V, 50A, 5Ohm, 15V	ISOPLUS i4-PAC™	-	1.7 µs	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXBL60N360 IGBT 3600V 92A ISOPLUSI5 IXYS	4,754	-	询价单	数据表	BIMOSFET™	ISOPLUSi5-Pak™	Tube	Active	-	3600 V	720 A	3.4V @ 15V, 60A	417 W	Through Hole	-	Standard	92 A	450 nC	50ns/340ns	-	960V, 60A, 4.7Ohm, 15V	ISOPLUSi5-Pak™	-	1.95 µs	-55°C ~ 150°C (TJ)
IXBH42N300HV DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2 IXYS	9,189	-	询价单	数据表	BIMOSFET™	TO-247-3 Variant	Tube	Active	-	3000 V	400 A	3V @ 15V, 42A	500 W	Through Hole	-	Standard	104 A	200 nC	-	-	-	TO-247HV	-	1.7 µs	-55°C ~ 150°C (TJ)
CSM350KN DISC IGBT XPT-GENX3 TO-264(3) IXYS	5,680	-	询价单	数据表	-	-	Bulk	Obsolete	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IXBL64N250 IGBT 2500V 116A ISOPLUSI5 IXYS	6,835	-	询价单	数据表	BIMOSFET™	ISOPLUSi5-PAK™	Tube	Active	-	2500 V	750 A	3V @ 15V, 64A	500 W	Through Hole	-	Standard	116 A	400 nC	-	-	-	ISOPLUSi5-Pak™	-	160 ns	-55°C ~ 150°C (TJ)

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