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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SSM5N16FUTE85LF

SSM5N16FUTE85LF

MOSFET N-CH 20V 100MA USV

Toshiba Semiconductor and Storage

6,112 -
SSM5N16FUTE85LF

数据表

π-MOSVI 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100mA (Ta) 1.5V, 4V 3Ohm @ 10mA, 4V Surface Mount - - 20 V ±10V 9.3 pF @ 3 V - - 5-SSOP - 200mW (Ta) 150°C (TJ)
2SK2035(T5L,F,T)

2SK2035(T5L,F,T)

MOSFET N-CH 20V 100MA SSM

Toshiba Semiconductor and Storage

8,971 -
2SK2035(T5L,F,T)

数据表

- SC-75, SOT-416 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100mA (Ta) 2.5V 12Ohm @ 10mA, 2.5V Surface Mount - - 20 V 10V 8.5 pF @ 3 V - - SSM - 100mW (Ta) 150°C (TJ)
SSM3K329R,LF

SSM3K329R,LF

MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A

Toshiba Semiconductor and Storage

8,354 -
SSM3K329R,LF

数据表

U-MOSIII SOT-23-3 Flat Leads Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.5A (Ta) 1.8V, 4V 126mOhm @ 1A, 4V Surface Mount 1V @ 1mA 1.5 nC @ 4 V 30 V ±12V 123 pF @ 15 V - - SOT-23F - 1W (Ta) 150°C (TJ)
2SJ360(TE12L,F)

2SJ360(TE12L,F)

MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI

Toshiba Semiconductor and Storage

9,885 -
2SJ360(TE12L,F)

数据表

- TO-243AA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1A (Ta) 4V, 10V 730mOhm @ 500mA, 10V Surface Mount 2V @ 1mA 6.5 nC @ 10 V 60 V ±20V 155 pF @ 10 V - - PW-MINI - 500mW (Ta) 150°C (TJ)
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