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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IXFH13N100

IXFH13N100

MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247AD

IXYS

7,804 -
IXFH13N100

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12.5A (Tc) 10V 900mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 155 nC @ 10 V 1000 V ±20V 4000 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTH14N100

IXTH14N100

MOSFET N-CH 1000V 14A TO247

IXYS

2,663 -
IXTH14N100

数据表

MegaMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Tc) 10V 820mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4.5V @ 250µA 195 nC @ 10 V 1000 V ±20V 5650 pF @ 25 V - - TO-247 (IXTH) - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
MKE11R600DCGFC

MKE11R600DCGFC

MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC

IXYS

2,162 -
MKE11R600DCGFC

数据表

CoolMOS™ ISOPLUSi5-PAK™ Box Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Tc) 10V 165mOhm @ 12A, 10V Through Hole 3.5V @ 790µA 52 nC @ 10 V 600 V ±20V 2000 pF @ 100 V - - ISOPLUS i4-PAC™ - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTH12N120

IXTH12N120

MOSFET N-CH 1200V 12A TO247

IXYS

5,035 -
IXTH12N120

数据表

- TO-247-3 Box Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 6A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 95 nC @ 10 V 1200 V ±30V 3400 pF @ 25 V - - TO-247 (IXTH) - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTK90N15

IXTK90N15

MOSFET N-CH 150V 90A TO264

IXYS

6,160 -
IXTK90N15

数据表

MegaMOS™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90A (Tc) 10V 16mOhm @ 45A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V 150 V ±20V 6400 pF @ 25 V - - TO-264 (IXTK) - 390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFT12N100

IXFT12N100

MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

IXYS

8,652 -
IXFT12N100

数据表

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 6A, 10V Surface Mount 4.5V @ 4mA 155 nC @ 10 V 1000 V ±20V 4000 pF @ 25 V - - TO-268AA - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFX44N50Q

IXFX44N50Q

MOSFET N-CH 500V 44A PLUS247-3

IXYS

7,073 -
IXFX44N50Q

数据表

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Variant Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 44A (Tc) 10V 120mOhm @ 22A, 10V Through Hole 4V @ 4mA 190 nC @ 10 V 500 V ±20V 7000 pF @ 25 V - - PLUS247™-3 - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH12N120

IXFH12N120

MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD

IXYS

5,833 -
IXFH12N120

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 500mA, 10V Through Hole 5V @ 4mA 95 nC @ 10 V 1200 V ±30V 3400 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH36N55Q2

IXFH36N55Q2

MOSFET N-CH 550V 36A TO247AD

IXYS

6,570 -
IXFH36N55Q2

数据表

HiPerFET™, Q2 Class TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 36A (Tc) 10V 180mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 5V @ 4mA 110 nC @ 10 V 550 V ±30V 4100 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXKC23N60C5

IXKC23N60C5

MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220

IXYS

2,918 -
IXKC23N60C5

数据表

CoolMOS™ ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 23A (Tc) 10V 100mOhm @ 18A, 10V Through Hole 3.9V @ 1.2mA 80 nC @ 10 V 600 V ±20V 2800 pF @ 100 V - - ISOPLUS220™ - - -55°C ~ 150°C (TJ)
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