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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
IXFH36N55Q

IXFH36N55Q

MOSFET N-CH 550V 36A TO247AD

IXYS

9,908 -
IXFH36N55Q

数据表

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 36A (Tc) 10V 160mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 128 nC @ 10 V 550 V ±30V 4500 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFT10N100

IXFT10N100

MOSFET N-CH 1000V 10A TO268

IXYS

6,296 -
IXFT10N100

数据表

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 5A, 10V Surface Mount 4.5V @ 4mA 155 nC @ 10 V 1000 V ±20V 4000 pF @ 25 V - - TO-268AA - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTK75N30

IXTK75N30

MOSFET N-CH 300V 75A TO264

IXYS

6,489 -
IXTK75N30

数据表

MegaMOS™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 42mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V 300 V ±20V 6000 pF @ 25 V - - TO-264 (IXTK) - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTH30N50

IXTH30N50

MOSFET N-CH 500V 30A TO247

IXYS

7,401 -
IXTH30N50

数据表

MegaMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 10V 170mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4V @ 250µA 227 nC @ 10 V 500 V ±20V 5680 pF @ 25 V - - TO-247 (IXTH) - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFT52N50P2

IXFT52N50P2

MOSFET N-CH 500V 52A TO268

IXYS

5,848 -
IXFT52N50P2

数据表

HiPerFET™, PolarP2™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 52A (Tc) 10V 120mOhm @ 26A, 10V Surface Mount 4.5V @ 4mA 113 nC @ 10 V 500 V ±30V 6800 pF @ 25 V - - TO-268AA - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFK88N20Q

IXFK88N20Q

MOSFET N-CH 200V 88A TO264AA

IXYS

4,779 -
IXFK88N20Q

数据表

HiPerFET™, Q Class TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 88A (Tc) 10V 30mOhm @ 44A, 10V Through Hole 4V @ 4mA 146 nC @ 10 V 200 V ±30V 4150 pF @ 25 V - - TO-264AA (IXFK) - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH10N100

IXFH10N100

MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD

IXYS

3,155 -
IXFH10N100

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 5A, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 155 nC @ 10 V 1000 V ±20V 4000 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH13N80

IXFH13N80

MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD

IXYS

2,462 -
IXFH13N80

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 13A (Tc) 10V 800mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 155 nC @ 10 V 800 V ±20V 4200 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH32N50

IXFH32N50

MOSFET N-CH 500V 32A TO247AD

IXYS

8,747 -
IXFH32N50

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 32A (Tc) 10V 150mOhm @ 15A, 10V Through Hole 4V @ 4mA 300 nC @ 10 V 500 V ±20V 5700 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH32N50Q

IXFH32N50Q

MOSFET N-CH 500V 32A TO247AD

IXYS

6,147 -
IXFH32N50Q

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 32A (Tc) 10V 160mOhm @ 16A, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 190 nC @ 10 V 500 V ±20V 4925 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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