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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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2N6802U

2N6802U

MOSFET N-CH 500V 2.5A 18ULCC

Microsemi Corporation

6,273 -
2N6802U

数据表

- 18-CLCC Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 4.46 nC @ 10 V 500 V ±20V - - - 18-ULCC (9.14x7.49) - 800mW (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
2N6849

2N6849

MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39

Microsemi Corporation

2,440 -
2N6849

数据表

- TO-205AF Metal Can Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.5A (Tc) 10V 320mOhm @ 6.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 34.8 nC @ 10 V 100 V ±20V - - - TO-39 - 800mW (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
2N6849U

2N6849U

MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC

Microsemi Corporation

7,381 -
2N6849U

数据表

- 18-CLCC Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.5A (Tc) 10V 300mOhm @ 4.1A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 34.8 nC @ 10 V 100 V ±20V - - - 18-ULCC (9.14x7.49) - 800mW (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
2N6764T1

2N6764T1

MOSFET N-CH 100V 38A TO3

Microsemi Corporation

2,026 -
2N6764T1

数据表

- TO-204AE Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 38A (Tc) 10V 65mOhm @ 38A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 125 nC @ 10 V 100 V ±20V - - - TO-3 - 4W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
2N6768T1

2N6768T1

MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA

Microsemi Corporation

9,950 -
2N6768T1

数据表

- TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Tc) 10V 400mOhm @ 14A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V 400 V ±20V - - - TO-254AA - 4W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
2N6770T1

2N6770T1

MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA

Microsemi Corporation

9,671 -
2N6770T1

数据表

- TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 500mOhm @ 12A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V 500 V ±20V - - - TO-254AA - 4W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
APT1002RBNG

APT1002RBNG

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

Microsemi Corporation

2,649 -
APT1002RBNG

数据表

POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 4A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 105 nC @ 10 V 1000 V ±30V 1800 pF @ 25 V - - TO-247AD - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
APT4065BNG

APT4065BNG

MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD

Microsemi Corporation

2,899 -
APT4065BNG

数据表

POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Tc) 10V 650mOhm @ 5.5A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 55 nC @ 10 V 400 V ±30V 950 pF @ 25 V - - TO-247AD - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
APT40M42JN

APT40M42JN

MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP

Microsemi Corporation

4,549 -
APT40M42JN

数据表

POWER MOS IV® SOT-227-4, miniBLOC Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 86A (Tc) 10V 42mOhm @ 43A, 10V Chassis Mount 4V @ 5mA 760 nC @ 10 V 400 V ±30V 14000 pF @ 25 V - - ISOTOP® - 690W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
APT40M75JN

APT40M75JN

MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP

Microsemi Corporation

4,050 -
APT40M75JN

数据表

POWER MOS IV® SOT-227-4, miniBLOC Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 56A (Tc) 10V 75mOhm @ 28A, 10V Chassis Mount 4V @ 2.5mA 370 nC @ 10 V 400 V ±30V 6800 pF @ 25 V - - ISOTOP® - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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