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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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MOSFET N-CH 100V 3.5A 18ULCC

Microsemi Corporation

2,969 -
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数据表

- 18-CLCC Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.5A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.25A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 8.1 nC @ 10 V 100 V ±20V - - - 18-ULCC (9.14x7.49) - 800mW (Ta), 15W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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MOSFET N-CH 200V 2.25A TO39

Microsemi Corporation

3,579 -
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数据表

- TO-205AF Metal Can Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.25A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 0V Through Hole 4V @ 250µA 8.6 nC @ 10 V 200 V ±20V - - - TO-39 - 800mW (Ta), 15W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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MOSFET N-CH 100V 6A TO39

Microsemi Corporation

6,989 -
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数据表

- TO-205AF Metal Can Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6A (Tc) 10V 300mOhm @ 3.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V 100 V ±20V - - - TO-39 - 800mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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MOSFET N-CH 200V 3.5A TO39

Microsemi Corporation

6,211 -
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数据表

- TO-205AF Metal Can Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.5A (Tc) 10V 800mOhm @ 2.25A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 14.3 nC @ 10 V 200 V ±20V - - - TO-39 - 800mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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MOSFET N-CH 100V 8A TO39

Microsemi Corporation

8,086 -
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数据表

- TO-205AF Metal Can Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Tc) 10V 180mOhm @ 5A, 10V Through Hole 4V @ 250mA 6.34 nC @ 10 V 100 V ±20V - - - TO-39 - 800mW (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC

Microsemi Corporation

3,800 -
2N6796U

数据表

- 18-CLCC Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Tc) 10V 180mOhm @ 5A, 10V Surface Mount 4V @ 250mA 6.34 nC @ 10 V 100 V ±20V - - - 18-ULCC (9.14x7.49) - 800mW (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39

Microsemi Corporation

8,741 -
2N6798

数据表

- TO-205AF Metal Can Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.5A (Tc) 10V 400mOhm @ 3.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 5.29 nC @ 10 V 200 V ±20V - - - TO-39 - 800mW (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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MOSFET N-CH 400V 3A TO39

Microsemi Corporation

6,307 -
2N6800

数据表

- TO-205AF Metal Can Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Tc) 10V 1Ohm @ 2A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 5.75 nC @ 10 V 400 V ±20V - - - TO-39 - 800mW (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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2N6800U

MOSFET N-CH 400V 3A 18ULCC

Microsemi Corporation

3,313 -
2N6800U

数据表

- 18-CLCC Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Tc) 10V 1Ohm @ 2A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 5.75 nC @ 10 V 400 V ±20V - - - 18-ULCC (9.14x7.49) - 800mW (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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MOSFET N-CH 500V 2.5A TO39

Microsemi Corporation

3,642 -
2N6802

数据表

- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 4.46 nC @ 10 V 500 V ±20V - - - TO-39 (TO-205AD) - 800mW (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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