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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA

Microsemi Corporation

7,593 -
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数据表

- TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 34A (Tc) 10V 70mOhm @ 21A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 125 nC @ 10 V 100 V ±20V - - - TO-254AA - 4W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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MOSFET N-CH 100V 34A TO267AB

Microsemi Corporation

3,313 -
2N7224U

数据表

- TO-267AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 34A (Tc) 10V 81mOhm @ 34A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 125 nC @ 10 V 100 V ±20V - - - TO-267AB - 4W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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MOSFET N-CH 200V 27.4A TO254AA

Microsemi Corporation

7,787 -
2N7225

数据表

- TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 27.4A (Tc) 10V 100mOhm @ 17A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 115 nC @ 10 V 200 V ±20V - - - TO-254AA - 4W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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MOSFET N-CH 200V 27.4A TO267AB

Microsemi Corporation

2,996 -
2N7225U

数据表

- TO-267AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 27.4A (Tc) 10V 100mOhm @ 17A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 115 nC @ 10 V 200 V ±20V - - - TO-267AB - 4W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA

Microsemi Corporation

5,618 -
2N7227

数据表

- TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Tc) 10V 315mOhm @ 9A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V 400 V ±20V - - - TO-254AA - 4W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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MOSFET N-CH 400V 14A TO267AB

Microsemi Corporation

9,103 -
2N7227U

数据表

- TO-267AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Tc) 10V 315mOhm @ 9A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V 400 V ±20V - - - TO-267AB - 4W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA

Microsemi Corporation

2,660 -
2N7228

数据表

- TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 415mOhm @ 8A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V 500 V ±20V - - - TO-254AA - 4W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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MOSFET N-CH 500V 12A TO267AB

Microsemi Corporation

7,992 -
2N7228U

数据表

- TO-267AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 415mOhm @ 8A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V 500 V ±20V - - - TO-267AB - 4W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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MOSFET P-CH 100V 18A TO254AA

Microsemi Corporation

5,983 -
2N7236

数据表

- TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18A (Tc) 10V 200mOhm @ 11A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V 100 V ±20V - - - TO-254AA - 4W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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2N7236U

MOSFET P-CH 100V 18A TO267AB

Microsemi Corporation

3,938 -
2N7236U

数据表

- TO-267AB Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18A (Tc) 10V 200mOhm @ 11A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V 100 V ±20V - - - TO-267AB - 4W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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