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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
TPH3206LSB

TPH3206LSB

GANFET N-CH 650V 16A PQFN

Transphorm

6,171 -
TPH3206LSB

数据表

- 3-PowerDFN Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 16A (Tc) 10V 180mOhm @ 10A, 8V Surface Mount 2.6V @ 500µA 6.2 nC @ 4.5 V 650 V ±18V 720 pF @ 480 V - - 3-PQFN (8x8) - 81W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
TPH3208LSG

TPH3208LSG

GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

Transphorm

8,696 -
TPH3208LSG

数据表

- 3-PowerDFN Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 14A, 8V Surface Mount 2.6V @ 300µA 42 nC @ 8 V 650 V ±18V 760 pF @ 400 V - - 3-PQFN (8x8) - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
TP90H180PS

TP90H180PS

GANFET N-CH 900V 15A TO220AB

Transphorm

8,284 -
TP90H180PS

数据表

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) 15A (Tc) 10V 205mOhm @ 10A, 10V Through Hole 2.6V @ 500µA 10 nC @ 8 V 900 V ±18V 780 pF @ 600 V - - TO-220AB - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
TP65H070LDG

TP65H070LDG

GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN

Transphorm

6,685 -
TP65H070LDG

数据表

TP65H070L 3-PowerDFN Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) 25A (Tc) 10V 85mOhm @ 16A, 10V Surface Mount 4.8V @ 700µA 9.3 nC @ 10 V 650 V ±20V 600 pF @ 400 V - - 3-PQFN (8x8) - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
TP65H070LSG

TP65H070LSG

GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN

Transphorm

7,831 -
TP65H070LSG

数据表

TP65H070L 3-PowerDFN Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) 25A (Tc) 10V 85mOhm @ 16A, 10V Surface Mount 4.8V @ 700µA 9.3 nC @ 10 V 650 V ±20V 600 pF @ 400 V - - 3-PQFN (8x8) - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
TP65H150LSG

TP65H150LSG

GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN

Transphorm

3,151 -
TP65H150LSG

数据表

- 3-PowerDFN Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 15A (Tc) 10V 180mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 4.8V @ 500µA 7.1 nC @ 10 V 650 V ±20V 576 pF @ 400 V - - 3-PQFN (8x8) - 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
TPH3206LDG-TR

TPH3206LDG-TR

GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN

Transphorm

2,627 -
TPH3206LDG-TR

数据表

- 3-PowerDFN Tray Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 17A (Tc) 8V 180mOhm @ 11A, 8V Surface Mount 2.6V @ 500µA 9.3 nC @ 4.5 V 600 V ±18V 760 pF @ 480 V - - 3-PQFN (8x8) - 96W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
TPH3206LSGB

TPH3206LSGB

GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN

Transphorm

3,951 -
TPH3206LSGB

数据表

- 3-PowerDFN Tray Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 16A (Tc) 8V 180mOhm @ 10A, 8V Surface Mount 2.6V @ 500µA 6.2 nC @ 4.5 V 650 V ±18V 720 pF @ 480 V - - 3-PQFN (8x8) - 81W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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