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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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CSD22205LT

CSD22205LT

MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR

Texas Instruments

30,195 -
CSD22205LT

数据表

NexFET™ 4-XFLGA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.4A (Ta) 1.5V, 4.5V 9.9mOhm @ 1A, 4.5V Surface Mount 1.05V @ 250µA 8.5 nC @ 4.5 V 8 V -6V 1390 pF @ 4 V - - 4-PICOSTAR - 600mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD25304W1015T

CSD25304W1015T

MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

Texas Instruments

1,482 -
CSD25304W1015T

数据表

NexFET™ 6-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 1.8V, 4.5V 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V Surface Mount 1.15V @ 250µA 4.4 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 595 pF @ 10 V - - 6-DSBGA (1x1.5) - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD25310Q2T

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MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON

Texas Instruments

17,230 -
CSD25310Q2T

数据表

NexFET™ 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Ta) 1.8V, 4.5V 23.9mOhm @ 5A, 4.5V Surface Mount 1.1V @ 250µA 4.7 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 655 pF @ 10 V - - 6-WSON (2x2) - 2.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD17522Q5A

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MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON

Texas Instruments

12,791 -
CSD17522Q5A

数据表

NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 87A (Tc) 4.5V, 10V 8.1mOhm @ 14A, 10V Surface Mount 2V @ 250µA 4.3 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 695 pF @ 15 V - - 8-VSONP (5x6) - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD22204WT

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MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA

Texas Instruments

5,417 -
CSD22204WT

数据表

NexFET™ 9-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Ta) 2.5V, 4.5V 9.9mOhm @ 2A, 4.5V Surface Mount 950mV @ 250µA 24.6 nC @ 4.5 V 8 V -6V 1130 pF @ 4 V - - 9-DSBGA - 1.7W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD19538Q3AT

CSD19538Q3AT

MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON

Texas Instruments

4,251 -
CSD19538Q3AT

数据表

NexFET™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Ta) 6V, 10V 59mOhm @ 5A, 10V Surface Mount 3.8V @ 250µA 4.3 nC @ 10 V 100 V ±20V 454 pF @ 50 V - - 8-VSONP (3x3.3) - 2.8W (Ta), 23W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD17306Q5A

CSD17306Q5A

MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON

Texas Instruments

3,928 -
CSD17306Q5A

数据表

NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24A (Ta), 100A (Tc) 3V, 8V 3.7mOhm @ 22A, 8V Surface Mount 1.6V @ 250µA 15.3 nC @ 4.5 V 30 V +10V, -8V 2170 pF @ 15 V - - 8-VSONP (5x6) - 3.2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD25404Q3T

CSD25404Q3T

MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON

Texas Instruments

6,684 -
CSD25404Q3T

数据表

NexFET™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 104A (Tc) 1.8V, 4.5V 6.5mOhm @ 10A, 4.5V Surface Mount 1.15V @ 250µA 14.1 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 2120 pF @ 10 V - - 8-VSONP (3x3.3) - 2.8W (Ta), 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD17578Q3AT

CSD17578Q3AT

MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON

Texas Instruments

4,164 -
CSD17578Q3AT

数据表

NexFET™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Ta) 4.5V, 10V 7.3mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 1.9V @ 250µA 22.2 nC @ 10 V 30 V ±20V 1590 pF @ 15 V - - 8-VSONP (3x3.3) - 3.2W (Ta), 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD17579Q5AT

CSD17579Q5AT

MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON

Texas Instruments

2,274 -
CSD17579Q5AT

数据表

NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25A (Ta) 4.5V, 10V 9.7mOhm @ 8A, 10V Surface Mount 2V @ 250µA 15.1 nC @ 10 V 30 V ±20V 1030 pF @ 15 V - - 8-VSONP (5x6) - 3.1W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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