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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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CSD13302WT

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MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA

Texas Instruments

1,237 -
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数据表

NexFET™ 4-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Surface Mount 1.3V @ 250µA 7.8 nC @ 4.5 V 12 V ±10V 862 pF @ 6 V - - 4-DSBGA (1x1) - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD25485F5T

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MOSFET P-CH 20V 5.3A 3PICOSTAR

Texas Instruments

3,485 -
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数据表

FemtoFET™ 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.3A (Ta) 1.8V, 8V 35mOhm @ 900mA, 8V Surface Mount 1.3V @ 250µA 3.5 nC @ 4.5 V 20 V -12V 533 pF @ 10 V - - 3-PICOSTAR - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD17302Q5A

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MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON

Texas Instruments

19,753 -
CSD17302Q5A

数据表

NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Ta), 87A (Tc) 3V, 8V 7.9mOhm @ 14A, 8V Surface Mount 1.7V @ 250µA 7 nC @ 4.5 V 30 V +10V, -8V 950 pF @ 15 V - - 8-VSONP (5x6) - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD23202W10T

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MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

Texas Instruments

15,097 -
CSD23202W10T

数据表

NexFET™ 4-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.2A (Ta) 1.5V, 4.5V 53mOhm @ 500mA, 4.5V Surface Mount 900mV @ 250µA 3.8 nC @ 4.5 V 12 V -6V 512 pF @ 6 V - - 4-DSBGA (1x1) - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD17581Q3AT

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MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON

Texas Instruments

10,850 -
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数据表

NexFET™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Tc) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 16A, 10V Surface Mount 1.7V @ 250µA 54 nC @ 10 V 30 V ±20V 3640 pF @ 15 V - - 8-VSONP (3x3.3) - 2.8W (Ta), 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD16404Q5A

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MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON

Texas Instruments

4,328 -
CSD16404Q5A

数据表

NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 21A (Ta), 81A (Tc) 4.5V, 10V 5.1mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.1V @ 250µA 8.5 nC @ 4.5 V 25 V +16V, -12V 1220 pF @ 12.5 V - - 8-VSONP (5x6) - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD23203WT

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MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA

Texas Instruments

39,033 -
CSD23203WT

数据表

NexFET™ 6-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 1.8V, 4.5V 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V Surface Mount 1.1V @ 250µA 6.3 nC @ 4.5 V 8 V -6V 914 pF @ 4 V - - 6-DSBGA (1x1.5) - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD17318Q2T

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MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON

Texas Instruments

2,670 -
CSD17318Q2T

数据表

NexFET™ 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25A (Tc) 2.5V, 8V 15.1mOhm @ 8A, 8V Surface Mount 1.2V @ 250µA 6 nC @ 4.5 V 30 V ±10V 879 pF @ 15 V - - 6-WSON (2x2) - 16W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD17581Q5AT

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MOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON

Texas Instruments

1,897 -
CSD17581Q5AT

数据表

NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24A (Ta), 123A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 16A, 10V Surface Mount 1.7V @ 250µA 54 nC @ 10 V 30 V ±20V 3640 pF @ 15 V - - 8-VSONP (5x6) - 3.1W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD13306WT

CSD13306WT

MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA

Texas Instruments

1,255 -
CSD13306WT

数据表

NexFET™ 6-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Surface Mount 1.3V @ 250µA 11.2 nC @ 4.5 V 12 V ±10V 1370 pF @ 6 V - - 6-DSBGA (1x1.5) - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
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