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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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CSD23203W

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MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA

Texas Instruments

2,215 -
CSD23203W

数据表

NexFET™ 6-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 1.8V, 4.5V 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V Surface Mount 1.1V @ 250µA 6.3 nC @ 4.5 V 8 V -6V 914 pF @ 4 V - - 6-DSBGA (1x1.5) - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD25304W1015

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MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

Texas Instruments

2,757 -
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数据表

NexFET™ 6-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 1.8V, 4.5V 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V Surface Mount 1.15V @ 250µA 4.4 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 595 pF @ 10 V - - 6-DSBGA (1x1.5) - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
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MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA

Texas Instruments

5,980 -
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数据表

NexFET™ 9-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Ta) 2.5V, 4.5V 9.9mOhm @ 2A, 4.5V Surface Mount 950mV @ 250µA 24.6 nC @ 4.5 V 8 V -6V 1130 pF @ 4 V - - 9-DSBGA - 1.7W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD25302Q2

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MOSFET P-CH 20V 5A 6SON

Texas Instruments

9,560 -
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数据表

NexFET™ 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Tc) 1.8V, 4.5V 49mOhm @ 3A, 4.5V Surface Mount 900mV @ 250µA 3.4 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 350 pF @ 10 V - - 6-SON - 2.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
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MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA

Texas Instruments

2,590 -
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数据表

NexFET™ 9-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4A (Ta) 1.8V, 4.5V 26mOhm @ 2A, 4.5V Surface Mount 1.05V @ 250µA 7.5 nC @ 4.5 V 20 V -6V 1010 pF @ 10 V - - 9-DSBGA - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD17381F4T

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MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR

Texas Instruments

34,264 -
CSD17381F4T

数据表

FemtoFET™ 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.1A (Ta) 1.8V, 4.5V 109mOhm @ 500mA, 8V Surface Mount 1.1V @ 250µA 1.35 nC @ 4.5 V 30 V 12V 195 pF @ 15 V - - 3-PICOSTAR - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD17327Q5A

CSD17327Q5A

MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON

Texas Instruments

2,427 -
CSD17327Q5A

数据表

NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 65A (Tc) 4.5V, 8V 12.2mOhm @ 11A, 8V Surface Mount 2V @ 250µA 3.4 nC @ 4.5 V 30 V ±10V 506 pF @ 15 V - - 8-VSONP (5x6) - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD18511KTT

CSD18511KTT

MOSFET N-CH 40V 194A DDPAK

Texas Instruments

174 -
CSD18511KTT

数据表

NexFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 194A (Ta) 4.5V, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V Surface Mount 2.4V @ 250µA 64 nC @ 10 V 40 V ±20V 5940 pF @ 20 V - - TO-263 (DDPAK-3) - 188W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
TPS1101DR

TPS1101DR

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC

Texas Instruments

3,284 -
TPS1101DR

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.3A (Ta) 2.7V, 10V 90mOhm @ 2.5A, 10V Surface Mount 1.5V @ 250µA 11.25 nC @ 10 V 15 V +2V, -15V - - - 8-SOIC - 791mW (Ta) -40°C ~ 150°C (TJ)
CSD25301W1015

CSD25301W1015

MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA

Texas Instruments

6,954 -
CSD25301W1015

数据表

NexFET™ 6-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.2A (Tc) 1.5V, 4.5V 75mOhm @ 1A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 2.5 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 270 pF @ 10 V - - 6-DSBGA (1x1.5) - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
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