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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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TSM480P06CZ C0G

TSM480P06CZ C0G

MOSFET P-CH 60V 20A TO220

Taiwan Semiconductor Corporation

9,265 -
TSM480P06CZ C0G

数据表

- TO-220-3 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 4.5V, 10V 48mOhm @ 8A, 10V Through Hole 2.2V @ 250µA 22.4 nC @ 10 V 60 V ±20V 1250 pF @ 30 V - - TO-220 - 66W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ)
TSM680P06CI C0G

TSM680P06CI C0G

MOSFET P-CH 60V 18A ITO220

Taiwan Semiconductor Corporation

9,949 -
TSM680P06CI C0G

数据表

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18A (Tc) 4.5V, 10V 68mOhm @ 6A, 10V Through Hole 2.2V @ 250µA 16.4 nC @ 10 V 60 V ±20V 870 pF @ 30 V - - ITO-220 - 17W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
TSM680P06CZ C0G

TSM680P06CZ C0G

MOSFET P-CH 60V 18A TO220

Taiwan Semiconductor Corporation

3,949 -
TSM680P06CZ C0G

数据表

- TO-220-3 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18A (Tc) 4.5V, 10V 68mOhm @ 6A, 10V Through Hole 2.2V @ 250µA 16.4 nC @ 10 V 60 V ±20V 870 pF @ 30 V - - TO-220 - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
TSM2328CX

TSM2328CX

100V, 1.5A, SINGLE N-CHANNEL POW

Taiwan Semiconductor Corporation

3,475 -
TSM2328CX

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.5A (Ta) 10V 250mOhm @ 1.5A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 11.1 nC @ 5 V 100 V ±20V 975 pF @ 25 V - - SOT-23 - 1.38W (Ta) 150°C (TJ)
TSM4800N15CX6

TSM4800N15CX6

150V, 1.4A, SINGLE N-CHANNEL PO

Taiwan Semiconductor Corporation

9,600 -
TSM4800N15CX6

数据表

- SOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.4A (Tc) 6V, 10V 480mOhm @ 1.1A, 10V Surface Mount 3.5V @ 250µA 8 nC @ 10 V 150 V ±20V 332 pF @ 10 V - - SOT-26 - 2.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
TSM60NC1R5CH C5G

TSM60NC1R5CH C5G

600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Taiwan Semiconductor Corporation

9,526 -
TSM60NC1R5CH C5G

数据表

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1A, 10V Through Hole 5V @ 1mA 7.6 nC @ 10 V 600 V ±20V 242 pF @ 25 V - - TO-251 (IPAK) - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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