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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs

制造商	系列	封装/外壳	包装	产品状态	FET 类型	技术	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）	导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs	安装类型	栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id	栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs	漏极到源极电压 (Vdss)	栅极电压 (Vgs)（最大值）	输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds	认证	FET 特性	供应商设备封装	等级	功耗（最大值）	工作温度
Alpha & Omega Semiconductor Inc. Analog Power Inc. ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED APSEMI Bruckewell Cambridge GaN Devices Central Semiconductor Corp Coherent Corp Comchip Technology CoolCAD Diodes Incorporated Diotec Semiconductor EPC EPC Space, LLC EVVO Fairchild Semiconductor Fairchild/ON Semiconductor fastSiC Flip Electronics GaNPower GeneSiC Semiconductor Goford Semiconductor Good-Ark Semiconductor Harris Corporation Honeywell Aerospace HY Electronic (Cayman) Limited IceMOS Technology Infineon Technologies International Rectifier Intersil Inventchip IXYS IXYS Integrated Circuits Division Linear Integrated Systems, Inc. Littelfuse Inc. MaxLinear, Inc. MDD Meritek Micro Commercial Co Microchip Technology Microsemi Corporation Motorola National Semiconductor NEC Corporation Nexperia USA Inc. NextGen Components Group NoMIS Power NovuSem Nuvoton Technology Corporation NXP Semiconductors onsemi Panasonic - BSG Panjit International Inc. PN Junction Semiconductor Qorvo Quest Semi Rectron USA Renesas ROHM Semiconductor Sanken Electric USA Inc. Sanyo SemiQ Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. Siemens Siliconix Skyworks Solutions Inc. SMC Diode Solutions SparkFun Electronics STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Corporation Texas Instruments Torex Semiconductor Ltd Toshiba Semiconductor and Storage Transphorm TT Electronics/Optek Technology UMW Venkel Vicor Corporation Vishay Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay Siliconix WeEn Semiconductors Wise-Integration Wolfspeed, Inc. YAGEO XSemi

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图片	厂商料号	库存情况	价格	数量	数据表	系列	封装/外壳	包装	产品状态	FET 类型	技术	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）	导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs	安装类型	栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id	栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs	漏极到源极电压 (Vdss)	栅极电压 (Vgs)（最大值）	输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds	认证	FET 特性	供应商设备封装	等级	功耗（最大值）	工作温度
	S2M0025120J MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V SMC Diode Solutions	46	-	询价单	数据表	-	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	70A (Tj)	20V	34mOhm @ 50A, 20V	Surface Mount	4V @ 15mA	177 nC @ 20 V	1200 V	+25V, -10V	4150 pF @ 1000 V	-	-	TO-263-7	-	311W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)
	S2M0080120N MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V SMC Diode Solutions	36	-	询价单	数据表	-	SOT-227-4, miniBLOC	Bulk	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	36A (Tc)	20V	100mOhm @ 20A, 20V	Chassis Mount	4V @ 10mA	54 nC @ 20 V	1200 V	+20V, -5V	1324 pF @ 1000 V	-	-	SOT-227	-	176W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)
	S2M0040120N-1 MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V SMC Diode Solutions	36	-	询价单	数据表	-	SOT-227-4, miniBLOC	Bulk	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	55A (Tc)	20V	52mOhm @ 40A, 20V	Chassis Mount	4V @ 10mA	92.1 nC @ 20 V	1200 V	+20V, -5V	1904 pF @ 1000 V	-	-	SOT-227	-	348W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)
	S3M0040120N MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V SMC Diode Solutions	36	-	询价单	数据表	-	SOT-227-4, miniBLOC	Bulk	Active	N-Channel	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)	65A (Tc)	18V	52mOhm @ 40A, 18V	Chassis Mount	4V @ 16mA	143 nC @ 18 V	1200 V	+20V, -8V	2844 pF @ 1000 V	-	-	SOT-227	-	483W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)
	S2M0025120N MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V SMC Diode Solutions	34	-	询价单	数据表	-	SOT-227-4, miniBLOC	Bulk	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	104A (Tc)	20V	34mOhm @ 50A, 20V	Chassis Mount	4V @ 15mA	165 nC @ 20 V	1200 V	+20V, -5V	4054 pF @ 1000 V	-	-	SOT-227	-	535W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)
	S3M0016120N MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V SMC Diode Solutions	36	-	询价单	数据表	-	SOT-227-4, miniBLOC	Bulk	Active	N-Channel	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)	120A (Tc)	18V	23mOhm @ 75A, 18V	Chassis Mount	4V @ 30mA	287 nC @ 18 V	1200 V	+22V, -8V	5251 pF @ 1000 V	-	-	SOT-227	-	732W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)
	S3M0025120D MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V SMC Diode Solutions	2,092	-	询价单	数据表	-	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)	77A (Tc)	18V	32mOhm @ 48A, 18V	Through Hole	4V @ 20mA	175 nC @ 18 V	1200 V	+22V, -8V	3519 pF @ 1000 V	-	-	TO-247AD	-	517W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)

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