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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FDB8874

FDB8874

MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263AB

onsemi

3,699 -
FDB8874

数据表

PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 21A (Ta), 121A (Tc) 4.5V, 10V 4.7mOhm @ 40A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 72 nC @ 10 V 30 V ±20V 3130 pF @ 15 V - - TO-263 (D2PAK) - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
MTP3055V

MTP3055V

MOSFET N-CH 60V 12A TO220AB

onsemi

5,462 -
MTP3055V

数据表

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 150mOhm @ 6A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V 60 V ±20V 500 pF @ 25 V - - TO-220 - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTNS3166NZT5G

NTNS3166NZT5G

MOSFET N-CH 20V 0.361A SOT883

onsemi

8,000 -
NTNS3166NZT5G

数据表

- 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 361mA (Ta) 1.5V, 4.5V 700mOhm @ 200mA, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 0.8 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 24 pF @ 10 V - - SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) - 155mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDY101PZ

FDY101PZ

MOSFET P-CH 20V 150MA SC89-3

onsemi

2 -
FDY101PZ

数据表

PowerTrench® SC-89, SOT-490 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150mA (Ta) 1.5V, 4.5V 8Ohm @ 150mA, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 1.4 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 100 pF @ 10 V - - SC-89-3 - 625mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQD7N10LTM

FQD7N10LTM

MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

onsemi

3,547 -
FQD7N10LTM

数据表

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.8A (Tc) 5V, 10V 350mOhm @ 2.9A, 10V Surface Mount 2V @ 250µA 6 nC @ 5 V 100 V ±20V 290 pF @ 25 V - - TO-252AA - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ)
FDY300NZ

FDY300NZ

MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3

onsemi

2,701 -
FDY300NZ

数据表

PowerTrench® SC-89, SOT-490 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600mA (Ta) 1.8V, 4.5V 700mOhm @ 600mA, 4.5V Surface Mount 1.3V @ 250µA 1.1 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 60 pF @ 10 V - - SC-89-3 - 625mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
NVD5807NT4G

NVD5807NT4G

MOSFET N-CH 40V 23A DPAK

onsemi

6,477 -
NVD5807NT4G

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 23A (Tc) 4.5V, 10V 31mOhm @ 5A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 20 nC @ 10 V 40 V ±20V 603 pF @ 25 V AEC-Q101 - DPAK Automotive 33W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTLUS3A18PZTBG

NTLUS3A18PZTBG

MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN

onsemi

9,993 -
NTLUS3A18PZTBG

数据表

µCool™ 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.1A (Ta) 1.5V, 4.5V 18mOhm @ 7A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 28 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 2240 pF @ 15 V - - 6-UDFN (2x2) - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQU4N50TU

FQU4N50TU

MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK

onsemi

8,714 -
FQU4N50TU

数据表

QFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.6A (Tc) 10V 2.7Ohm @ 1.3A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 13 nC @ 10 V 500 V ±30V 460 pF @ 25 V - - IPAK - 2.5W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQB19N10LTM

FQB19N10LTM

MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK

onsemi

8,530 -
FQB19N10LTM

数据表

QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 19A (Tc) 5V, 10V 100mOhm @ 9.5A, 10V Surface Mount 2V @ 250µA 18 nC @ 5 V 100 V ±20V 870 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 3.75W (Ta), 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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