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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FQD5N15TM

FQD5N15TM

MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK

onsemi

4,390 -
FQD5N15TM

数据表

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.3A (Tc) 10V 800mOhm @ 2.15A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 7 nC @ 10 V 150 V ±25V 230 pF @ 25 V - - TO-252AA - 2.5W (Ta), 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
HUFA75307T3ST

HUFA75307T3ST

MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4

onsemi

5,127 -
HUFA75307T3ST

数据表

UltraFET™ TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.6A (Ta) 10V 90mOhm @ 2.6A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 17 nC @ 20 V 55 V ±20V 250 pF @ 25 V AEC-Q101 - SOT-223-4 Automotive 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDZ197PZ

FDZ197PZ

MOSFET P-CH 20V 3.8A 6WLCSP

onsemi

4,965 -
FDZ197PZ

数据表

PowerTrench® 6-UFBGA, WLCSP Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.8A (Ta) 1.5V, 4.5V 64mOhm @ 2A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 25 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 1570 pF @ 10 V - - 6-WLCSP (1x1.5) - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
NTD5865NT4G

NTD5865NT4G

MOSFET N-CH 60V 43A DPAK

onsemi

7,463 -
NTD5865NT4G

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 43A (Tc) 10V 18mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 23 nC @ 10 V 60 V ±20V 1261 pF @ 25 V - - DPAK - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PCP1405-TD-H

PCP1405-TD-H

MOSFET N-CH 250V 600MA SOT89

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3,277 -
PCP1405-TD-H

数据表

- TO-243AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600mA (Ta) 2.5V, 4.5V 6.5Ohm @ 300mA, 4.5V Surface Mount 1.3V @ 1mA 2.1 nC @ 4.5 V 250 V ±10V 140 pF @ 20 V - - SOT-89/PCP-1 - 3.5W (Tc) 150°C (TJ)
FQI6N40CTU

FQI6N40CTU

MOSFET N-CH 400V 6A I2PAK

onsemi

9,217 -
FQI6N40CTU

数据表

QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6A (Tc) 10V 1Ohm @ 3A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V 400 V ±30V 625 pF @ 25 V - - TO-262 (I2PAK) - 73W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDD14AN06LA0-F085

FDD14AN06LA0-F085

MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA

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8,658 -
FDD14AN06LA0-F085

数据表

PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9.5A (Ta), 50A (Tc) 5V, 10V 11.6mOhm @ 50A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 32 nC @ 5 V 60 V ±20V 2810 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-252AA Automotive 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FQPF5N60CYDTU

FQPF5N60CYDTU

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3

onsemi

9,925 -
FQPF5N60CYDTU

数据表

QFET® TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.5A (Tc) 10V 2.5Ohm @ 2.25A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V 600 V ±30V 670 pF @ 25 V - - TO-220F-3 (Y-Forming) - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
MTP2955V

MTP2955V

MOSFET P-CH 60V 12A TO220AB

onsemi

9,426 -
MTP2955V

数据表

- TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 230mOhm @ 6A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V 60 V ±15V 770 pF @ 25 V - - TO-220 - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FQD18N20V2TF

FQD18N20V2TF

MOSFET N-CH 200V 15A DPAK

onsemi

5,589 -
FQD18N20V2TF

数据表

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Tc) 10V 140mOhm @ 7.5A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 26 nC @ 10 V 200 V ±30V 1080 pF @ 25 V - - TO-252AA - 2.5W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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