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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FDU8896

FDU8896

MOSFET N-CH 30V 17A/94A IPAK

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3,240 -
FDU8896

数据表

PowerTrench® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 17A (Ta), 94A (Tc) 4.5V, 10V 5.7mOhm @ 35A, 10V Through Hole 2.5V @ 250µA 60 nC @ 10 V 30 V ±20V 2525 pF @ 15 V - - IPAK - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FQI5N50CTU

FQI5N50CTU

MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK

onsemi

7,405 -
FQI5N50CTU

数据表

QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 24 nC @ 10 V 500 V ±30V 625 pF @ 25 V - - TO-262 (I2PAK) - 73W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQP17P10

FQP17P10

MOSFET P-CH 100V 16.5A TO220-3

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9,152 -
FQP17P10

数据表

QFET® TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16.5A (Tc) 10V 190mOhm @ 8.25A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V 100 V ±30V 1100 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FQB10N20LTM

FQB10N20LTM

MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK

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9,474 -
FQB10N20LTM

数据表

QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Tc) 5V, 10V 360mOhm @ 5A, 10V Surface Mount 2V @ 250µA 17 nC @ 5 V 200 V ±20V 830 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 3.13W (Ta), 87W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NTB30N06T4G

NTB30N06T4G

MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK

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8,092 -
NTB30N06T4G

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 27A (Ta) 10V 42mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 46 nC @ 10 V 60 V ±20V 1200 pF @ 25 V - - D2PAK - 88.2W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTD4804N-1G

NTD4804N-1G

MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK

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7,922 -
NTD4804N-1G

数据表

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14.5A (Ta), 124A (Tc) 4.5V, 11.5V 4mOhm @ 30A, 10V Through Hole 2.5V @ 250µA 40 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 4490 pF @ 12 V - - IPAK - 1.43W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
HUFA76423S3S

HUFA76423S3S

MOSFET N-CH 60V 35A D2PAK

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8,091 -
HUFA76423S3S

数据表

UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 35A (Tc) 4.5V, 10V 30mOhm @ 35A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 34 nC @ 10 V 60 V ±16V 1060 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 85W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FQA17P10

FQA17P10

MOSFET P-CH 100V 18A TO3P

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8,295 -
FQA17P10

数据表

QFET® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18A (Tc) 10V 190mOhm @ 9A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V 100 V ±30V 1100 pF @ 25 V - - TO-3P - 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FDC697P

FDC697P

MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT6

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2,885 -
FDC697P

数据表

PowerTrench® 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Ta) 1.8V, 4.5V 20mOhm @ 8A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 55 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 3524 pF @ 10 V - - SuperSOT™-6 FLMP - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDS3570

FDS3570

MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC

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2,033 -
FDS3570

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Ta) 6V, 10V 20mOhm @ 9A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 76 nC @ 10 V 80 V ±20V 2750 pF @ 25 V - - 8-SOIC - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
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