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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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MMFT960T1G

MMFT960T1G

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223

onsemi

7,739 -
MMFT960T1G

数据表

- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300mA (Tc) 10V 1.7Ohm @ 1A, 10V Surface Mount 3.5V @ 1mA 3.2 nC @ 10 V 60 V ±30V 65 pF @ 25 V - - SOT-223 (TO-261) - 800mW (Ta) -65°C ~ 150°C (TJ)
FDG313N

FDG313N

MOSFET N-CH 25V 950MA SC88

onsemi

8,776 -
FDG313N

数据表

- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950mA (Ta) 2.7V, 4.5V 450mOhm @ 500mA, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 2.3 nC @ 4.5 V 25 V ±8V 50 pF @ 10 V - - SC-88 (SC-70-6) - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDFS2P753AZ

FDFS2P753AZ

MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC

onsemi

2,956 -
FDFS2P753AZ

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 4.5V, 10V 115mOhm @ 3A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 11 nC @ 10 V 30 V ±25V 455 pF @ 15 V - Schottky Diode (Isolated) 8-SOIC - 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
NDD02N40T4G

NDD02N40T4G

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

onsemi

7,659 -
NDD02N40T4G

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.7A (Tc) 10V 5.5Ohm @ 220mA, 10V Surface Mount 2V @ 250µA 5.5 nC @ 10 V 400 V ±20V 121 pF @ 25 V - - DPAK - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDC013P20L

FDC013P20L

MOSFET P-CH 20V TSOT23-6

onsemi

6,815 -
FDC013P20L

数据表

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
FCH060N80-F155

FCH060N80-F155

MOSFET N-CH 800V 56A TO247

onsemi

850 -
FCH060N80-F155

数据表

SuperFET® II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 56A (Tc) 10V 60mOhm @ 29A, 10V Through Hole 4.5V @ 5.8mA 350 nC @ 10 V 800 V ±20V 14685 pF @ 100 V - - TO-247-3 - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NVBG045N065SC1

NVBG045N065SC1

SIC MOS D2PAK-7L 650V

onsemi

790 -
NVBG045N065SC1

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 62A (Tc) 15V, 18V 50mOhm @ 25A, 18V Surface Mount 4.3V @ 8mA 105 nC @ 18 V 650 V +22V, -8V 1890 pF @ 325 V AEC-Q101 - D2PAK-7 Automotive 242W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTHL019N65S3H

NTHL019N65S3H

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

onsemi

430 -
NTHL019N65S3H

数据表

SuperFET® III TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) - 19.3mOhm @ 37.5A, 10V Through Hole 4V @ 14.3mA 282 nC @ 10 V 650 V ±30V 15993 pF @ 400 V - - TO-247-3 - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NTH4L025N065SC1

NTH4L025N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

onsemi

247 -
NTH4L025N065SC1

数据表

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 99A (Tc) 15V, 18V 28.5mOhm @ 45A, 18V Through Hole 4.3V @ 15.5mA 164 nC @ 18 V 650 V +22V, -8V 3480 pF @ 15 V - - TO-247-4L - 348W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NVBG060N065SC1

NVBG060N065SC1

SIC MOS D2PAK-7L 650V

onsemi

1,580 -
NVBG060N065SC1

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 46A (Tc) 15V, 18V 70mOhm @ 20A, 18V Surface Mount 4.3V @ 6.5mA 74 nC @ 18 V 650 V - 1473 pF @ 325 V AEC-Q101 - D2PAK-7 Automotive 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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