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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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NVATS5A107PLZT4G

NVATS5A107PLZT4G

MOSFET P-CHANNEL 40V 55A ATPAK

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5,326 -
NVATS5A107PLZT4G

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55A (Ta) 4.5V, 10V 17mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2.6V @ 1mA 47 nC @ 10 V 40 V ±20V 2400 pF @ 20 V AEC-Q101 - ATPAK Automotive 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NDS336P

NDS336P

MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3

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4,885 -
NDS336P

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.2A (Ta) 2.7V, 4.5V 200mOhm @ 1.3A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 8.5 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 360 pF @ 10 V - - SOT-23-3 - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
NTH4L060N065SC1

NTH4L060N065SC1

SIC MOS TO247-4L 650V

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499 -
NTH4L060N065SC1

数据表

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 47A (Tc) 15V, 18V 70mOhm @ 20A, 18V Through Hole 4.3V @ 6.5mA 74 nC @ 18 V 650 V +22V, -8V 1473 pF @ 325 V - - TO-247-4L - 176W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTBL050N65S3H

NTBL050N65S3H

MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE

onsemi

1,278 -
NTBL050N65S3H

数据表

- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 49A (Tc) 10V 50mOhm @ 24.5A, 10V Surface Mount 4V @ 4.8mA 98 nC @ 10 V 650 V ±30V 4880 pF @ 400 V - - 8-HPSOF - 305W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FCA47N60-F109

FCA47N60-F109

MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN

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452 -
FCA47N60-F109

数据表

SuperFET™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 47A (Tc) 10V 70mOhm @ 23.5A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 270 nC @ 10 V 600 V ±30V 8000 pF @ 25 V - - TO-3PN - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NVHL040N60S5F

NVHL040N60S5F

SUPERFET5 FRFET, 40MOHM, TO-247-

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337 -
NVHL040N60S5F

数据表

FRFET®, SUPERFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 59A (Tc) 10V 40mOhm @ 29.5A, 10V Through Hole 4.8V @ 7.2mA 115 nC @ 10 V 600 V ±30V 6318 pF @ 400 V - - TO-247-3 - 347W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NVC3S5A51PLZT1G

NVC3S5A51PLZT1G

MOSFET P-CH 60V 1.8A 3CPH

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7,644 -
NVC3S5A51PLZT1G

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.8A (Ta) 4V, 10V 250mOhm @ 1A, 10V Surface Mount 2.6V @ 1mA 6 nC @ 10 V 60 V ±20V 262 pF @ 20 V AEC-Q101 - 3-CPH Automotive 1.2W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
NVMFS6B85NLWFT1G

NVMFS6B85NLWFT1G

MOSFET N-CH 100V 5.6A/19A 5DFN

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8,131 -
NVMFS6B85NLWFT1G

数据表

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.6A (Ta), 19A (Tc) 4.5V, 10V 46mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2.4V @ 250µA 7.9 nC @ 10 V 100 V ±16V 480 pF @ 25 V AEC-Q101 - 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Automotive 3.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NVH4L060N065SC1

NVH4L060N065SC1

SIC MOS TO247-4L 650V

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443 -
NVH4L060N065SC1

数据表

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 47A (Tc) 15V, 18V 70mOhm @ 20A, 18V Through Hole 4.3V @ 6.5mA 74 nC @ 18 V 650 V - 1473 pF @ 325 V AEC-Q101 - TO-247-4L Automotive 176W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NVMTS0D7N04CLTXG

NVMTS0D7N04CLTXG

AFSM T6 40V LL NCH

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3,029 -
NVMTS0D7N04CLTXG

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 67A (Ta), 433A (Tc) 4.5V, 10V 0.63mOhm @ 50A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 205 nC @ 10 V 40 V ±20V 12238 pF @ 25 V AEC-Q101 - 8-DFNW (8.3x8.4) Automotive 2.5W (Ta), 205W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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