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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FDC3535

FDC3535

MOSFET P-CH 80V 2.1A SUPERSOT6

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7,117 -
FDC3535

数据表

PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.1A (Ta) 4.5V, 10V 183mOhm @ 2.1A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 20 nC @ 10 V 80 V ±20V 880 pF @ 40 V - - SuperSOT™-6 - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
NVH4L032N065M3S

NVH4L032N065M3S

SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S

onsemi

422 -
NVH4L032N065M3S

数据表

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 50A (Tc) 15V, 18V 44mOhm @ 15A, 18V Through Hole 4V @ 7.5mA 55 nC @ 18 V 650 V +22V, -8V 1410 pF @ 400 V AEC-Q101 - TO-247-4 Automotive 187W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NVH4L070N120M3S

NVH4L070N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI

onsemi

222 -
NVH4L070N120M3S

数据表

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 34A (Tc) 18V 87mOhm @ 15A, 18V Through Hole 4.4V @ 7mA 57 nC @ 18 V 1200 V +22V, -10V 1230 pF @ 800 V AEC-Q101 - TO-247-4L Automotive 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
HUF75343S3

HUF75343S3

MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK

onsemi

8,047 -
HUF75343S3

数据表

UltraFET™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 9mOhm @ 75A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 205 nC @ 20 V 55 V ±20V 3000 pF @ 25 V - - TO-262 (I2PAK) - 270W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NVH4L040N65S3F

NVH4L040N65S3F

MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4

onsemi

448 -
NVH4L040N65S3F

数据表

SuperFET® III, FRFET® TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 65A (Tc) - 40mOhm @ 32.5A, 10V Through Hole 5V @ 2.1mA 160 nC @ 10 V 650 V ±30V 5665 pF @ 400 V AEC-Q101 - TO-247-4L Automotive 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQP47P06_SW82049

FQP47P06_SW82049

MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3

onsemi

8,482 -
FQP47P06_SW82049

数据表

QFET® TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 47A (Tc) 10V 26mOhm @ 23.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V 60 V ±25V 3600 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FQD17P06TF

FQD17P06TF

MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

onsemi

4,813 -
FQD17P06TF

数据表

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 135mOhm @ 6A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V 60 V ±25V 900 pF @ 25 V - - TO-252AA - 2.5W (Ta), 44W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQD10N20LTM

FQD10N20LTM

MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252

onsemi

7,649 -
FQD10N20LTM

数据表

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.6A (Tc) 5V, 10V 360mOhm @ 3.8A, 10V Surface Mount 2V @ 250µA 17 nC @ 5 V 200 V ±20V 830 pF @ 25 V - - DPAK - 2.5W (Ta), 51W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDD850N10LD

FDD850N10LD

MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4L

onsemi

3,835 -
FDD850N10LD

数据表

PowerTrench® TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15.3A (Tc) 5V, 10V 75mOhm @ 12A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 28.9 nC @ 10 V 100 V ±20V 1465 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NTP60N06L

NTP60N06L

MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

onsemi

2,768 -
NTP60N06L

数据表

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Ta) 5V 16mOhm @ 30A, 5V Through Hole 2V @ 250µA 65 nC @ 5 V 60 V ±15V 3075 pF @ 25 V - - TO-220 - 2.4W (Ta), 150W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ)
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