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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FDC2512

FDC2512

MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6

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9,552 -
FDC2512

数据表

PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.4A (Ta) 6V, 10V 425mOhm @ 1.4A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V 150 V ±20V 344 pF @ 75 V - - SuperSOT™-6 - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQD9N25TM

FQD9N25TM

MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK

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9,767 -
FQD9N25TM

数据表

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.4A (Tc) 10V 420mOhm @ 3.7A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 20 nC @ 10 V 250 V ±30V 700 pF @ 25 V - - TO-252AA - 2.5W (Ta), 55W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NTR3A30PZT1G

NTR3A30PZT1G

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3

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4,032 -
NTR3A30PZT1G

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 1.8V, 4.5V 38mOhm @ 3A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 17.6 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 1651 pF @ 15 V - - SOT-23-3 (TO-236) - 480mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
NVMTS0D7N06CTXG

NVMTS0D7N06CTXG

MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW

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2,635 -
NVMTS0D7N06CTXG

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60.5A (Ta), 464A (Tc) 10V 0.72mOhm @ 50A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 152 nC @ 10 V 60 V ±20V 11535 pF @ 30 V AEC-Q101 - 8-DFNW (8.3x8.4) Automotive 5W (Ta), 294.6W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NVH4L095N065SC1

NVH4L095N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC

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445 -
NVH4L095N065SC1

数据表

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 31A (Tc) 15V, 18V 105mOhm @ 12A, 18V Through Hole 4.3V @ 4mA 50 nC @ 18 V 650 V +22V, -8V 956 pF @ 325 V AEC-Q101 - TO-247-4L Automotive 129W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BMS4003

BMS4003

MOSFET N-CH 100V 18A TO220ML

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7,995 -
BMS4003

数据表

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18A (Ta) 10V 65mOhm @ 9A, 10V Through Hole 5V @ 1mA 11.4 nC @ 10 V 100 V ±30V 680 pF @ 20 V - - TO-220ML - 2W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NVHL075N065SC1

NVHL075N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC

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446 -
NVHL075N065SC1

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 38A (Tc) 15V, 18V 85mOhm @ 15A, 18V Through Hole 4.3V @ 5mA 61 nC @ 18 V 650 V +22V, -8V 1196 pF @ 325 V AEC-Q101 - TO-247-3 Automotive 148W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NVMFS5C628NLAFT3G

NVMFS5C628NLAFT3G

MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN

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7,975 -
NVMFS5C628NLAFT3G

数据表

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28A (Ta), 150A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 50A, 10V Surface Mount 2V @ 135µA 52 nC @ 10 V 60 V ±20V 3600 pF @ 25 V AEC-Q101 - 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Automotive 3.7W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FQAF5N90

FQAF5N90

MOSFET N-CH 900V 4.1A TO3PF

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6,182 -
FQAF5N90

数据表

QFET® TO-3P-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.1A (Tc) 10V 2.3Ohm @ 2.05A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V 900 V ±30V 1550 pF @ 25 V - - TO-3PF - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NVD5863NLT4G

NVD5863NLT4G

MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK

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7,812 -
NVD5863NLT4G

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14.9A (Ta), 82A (Tc) 4.5V, 10V 7.1mOhm @ 41A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 70 nC @ 10 V 60 V ±20V 3850 pF @ 25 V AEC-Q101 - DPAK Automotive 3.1W (Ta), 96W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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