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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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BUK7Y18-55B,115

BUK7Y18-55B,115

MOSFET N-CH 55V 47.4A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

2,406 -
BUK7Y18-55B,115

数据表

TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 47.4A (Tc) 10V 18mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA 21.9 nC @ 10 V 55 V ±20V 1263 pF @ 25 V AEC-Q101 - LFPAK56, Power-SO8 Automotive 85W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PSMN2R6-100SSFJ

PSMN2R6-100SSFJ

NEXTPOWER 80/100V MOSFETS

Nexperia USA Inc.

2,000 -
PSMN2R6-100SSFJ

数据表

- SOT-1235 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200A (Ta) 7V, 10V 2.6mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA 191 nC @ 10 V 100 V ±20V 12838 pF @ 50 V - - LFPAK88 (SOT1235) - 341W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
PSMN3R0-60BS,118

PSMN3R0-60BS,118

MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK

Nexperia USA Inc.

3,875 -
PSMN3R0-60BS,118

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 10V 3.2mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V 60 V ±20V 8079 pF @ 30 V - - D2PAK - 306W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK7Y1R4-40HX

BUK7Y1R4-40HX

BUK7Y1R4-40H/SOT669/LFPAK

Nexperia USA Inc.

385 -
BUK7Y1R4-40HX

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - 190A (Tc) - - - - - - +20V, -10V - AEC-Q101 - - Automotive 395W (Tc) -
PSMN2R3-80SSFJ

PSMN2R3-80SSFJ

NEXTPOWER 80/100V MOSFETS

Nexperia USA Inc.

2,000 -
PSMN2R3-80SSFJ

数据表

- SOT-1235 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 240A (Ta) 7V, 10V 2.3mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA 184 nC @ 10 V 80 V ±20V 12320 pF @ 40 V - - LFPAK88 (SOT1235) - 341W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK762R6-60E,118

BUK762R6-60E,118

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Nexperia USA Inc.

4,795 -
BUK762R6-60E,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 2.6mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA 140 nC @ 10 V 60 V ±20V 10170 pF @ 25 V AEC-Q101 - D2PAK Automotive 324W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
GAN140-650FBEZ

GAN140-650FBEZ

650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE

Nexperia USA Inc.

2,327 -
GAN140-650FBEZ

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 17A (Tc) 6V 140mOhm @ 5A, 6V Surface Mount, Wettable Flank 2.5V @ 17.2mA 3.5 nC @ 6 V 650 V +7V, -1.4V 125 pF @ 400 V - - DFN5060-5 - 113W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PSMN2R9-100SSEJ

PSMN2R9-100SSEJ

POWERMOS ASFETS

Nexperia USA Inc.

2,000 -
PSMN2R9-100SSEJ

数据表

- SOT-1235 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 210A (Ta) 10V 2.9mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 3.6V @ 1mA 188 nC @ 10 V 100 V ±20V 13280 pF @ 50 V - - LFPAK88 (SOT1235) - 341W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
PSMN2R5-80SSEJ

PSMN2R5-80SSEJ

POWERMOS ASFETS

Nexperia USA Inc.

1,995 -
PSMN2R5-80SSEJ

数据表

- SOT-1235 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 190A (Ta) 10V 2.5mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 3.6V @ 1mA 174 nC @ 10 V 80 V ±20V 13485 pF @ 40 V - - LFPAK88 (SOT1235) - 341W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK7J1R0-40HX

BUK7J1R0-40HX

BUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS

Nexperia USA Inc.

2,079 -
BUK7J1R0-40HX

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - 220A (Tc) - - - - - - +20V, -10V - AEC-Q101 - - Automotive - -
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