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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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PMZB790SN,315

PMZB790SN,315

MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3

Nexperia USA Inc.

4,179 -
PMZB790SN,315

数据表

- 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650mA (Ta) 4.5V, 10V 940mOhm @ 300mA, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 1.37 nC @ 10 V 60 V ±20V 35 pF @ 30 V - - DFN1006B-3 - 360mW (Ta), 2.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMCM440VNEZ

PMCM440VNEZ

MOSFET N-CH 12V 3.9A 4WLCSP

Nexperia USA Inc.

7,295 -
PMCM440VNEZ

数据表

- 4-XFBGA, WLCSP Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.9A (Ta) 4.5V 67mOhm @ 3A, 4.5V Surface Mount 900mV @ 250µA 8.2 nC @ 4.5 V 12 V ±8V 360 pF @ 6 V - - 4-WLCSP (0.78x0.78) - 400mW (Ta), 12.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMV65UNEAR

PMV65UNEAR

MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB

Nexperia USA Inc.

9,244 -
PMV65UNEAR

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.8A (Ta) 1.8V, 4.5V 73mOhm @ 2.8A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 6 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 291 pF @ 10 V AEC-Q101 - TO-236AB Automotive 940mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
PSMN018-100ESFQ

PSMN018-100ESFQ

MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK

Nexperia USA Inc.

8,803 -
PSMN018-100ESFQ

数据表

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 53A (Tc) 7V, 10V 18mOhm @ 15A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 21.4 nC @ 10 V 100 V ±20V 1482 pF @ 50 V - - I2PAK - 111W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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