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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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BUK9M48-80LX

BUK9M48-80LX

BUK9M48-80L/SOT1210/MLFPAK

Nexperia USA Inc.

1,386 -
BUK9M48-80LX

数据表

- SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Ta) 4.5V, 10V 48mOhm @ 5A, 10V Surface Mount - 10.9 nC @ 10 V 80 V ±20V - AEC-Q101 - LFPAK33 Automotive 50W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
PHP18NQ10T,127

PHP18NQ10T,127

MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB

Nexperia USA Inc.

8,660 -
PHP18NQ10T,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18A (Tc) 10V 90mOhm @ 9A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 21 nC @ 10 V 100 V ±20V 633 pF @ 25 V - - TO-220AB - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PMV65XPVL

PMV65XPVL

MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB

Nexperia USA Inc.

3,332 -
PMV65XPVL

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.8A (Ta) 1.8V, 4.5V 74mOhm @ 2.8A, 4.5V Surface Mount 900mV @ 250µA 7.7 nC @ 4 V 20 V ±12V 744 pF @ 20 V - - TO-236AB - 480mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMN25ENEX

PMN25ENEX

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP

Nexperia USA Inc.

3,000 -
PMN25ENEX

数据表

- SC-74, SOT-457 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.1A (Ta) 4.5V, 10V 24mOhm @ 6.1A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 18 nC @ 10 V 30 V ±20V 597 pF @ 15 V - - 6-TSOP - 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) 150°C (TJ)
BSH205G2VL

BSH205G2VL

MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB

Nexperia USA Inc.

4,965 -
BSH205G2VL

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.3A (Ta) 1.5V, 4.5V 170mOhm @ 2A, 4.5V Surface Mount 950mV @ 250µA 6.5 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 418 pF @ 10 V AEC-Q101 - TO-236AB Automotive 480mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMPB50XNX

PMPB50XNX

PMPB50XN/SOT1220-2/DFN2020M-6

Nexperia USA Inc.

2,766 -
PMPB50XNX

数据表

- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Ta) 2.5V, 4.5V 70mOhm @ 3.9A, 4.5V Surface Mount 1.4V @ 250µA 6.7 nC @ 4.5 V 110 V ±12V 741.5 pF @ 50 V - - DFN2020M-6 - 580mW (Ta), 13W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PSMN0R9-30ULDX

PSMN0R9-30ULDX

MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

4,315 -
PSMN0R9-30ULDX

数据表

- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300A (Tc) 4.5V, 10V 0.87mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2.2V @ 1mA 109 nC @ 10 V 30 V ±20V 7668 pF @ 15 V - - LFPAK56, Power-SO8 - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
BST82,235

BST82,235

MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB

Nexperia USA Inc.

10,327 -
BST82,235

数据表

TrenchMOS™ TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 190mA (Ta) 5V 10Ohm @ 150mA, 5V Surface Mount 2V @ 1mA - 100 V ±20V 40 pF @ 10 V - - TO-236AB - 830mW (Tc) 150°C (TJ)
PMPB20EN,115

PMPB20EN,115

MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6

Nexperia USA Inc.

5,528 -
PMPB20EN,115

数据表

- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.2A (Ta) 4.5V, 10V 19.5mOhm @ 7A, 10V Surface Mount 2V @ 250µA 10.8 nC @ 10 V 30 V ±20V 435 pF @ 10 V - - DFN2020MD-6 - 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMPB33XN,115

PMPB33XN,115

MOSFET N-CH 30V 4.3A DFN2020MD-6

Nexperia USA Inc.

2,830 -
PMPB33XN,115

数据表

- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.3A (Ta) 2.5V, 4.5V 47mOhm @ 4.3A, 4.5V Surface Mount 1.2V @ 250µA 7.6 nC @ 4.5 V 30 V ±12V 505 pF @ 15 V - - DFN2020MD-6 - 1.5W (Ta), 8.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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