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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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PMH400UNEH

PMH400UNEH

MOSFET N-CH 30V 900MA DFN0606-3

Nexperia USA Inc.

19,255 -
PMH400UNEH

数据表

TrenchMOS™ 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900mA (Ta) 1.5V, 4.5V 460mOhm @ 700mA, 4.5V Surface Mount 950mV @ 250µA 0.93 nC @ 4.5 V 30 V ±8V 4540 pF @ 15 V - - DFN0606-3 - 360mW (Ta), 2.23W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMH260UNEH

PMH260UNEH

MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN0606-3

Nexperia USA Inc.

17,737 -
PMH260UNEH

数据表

TrenchMOS™ 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.2A (Ta) 1.5V, 4.5V 310mOhm @ 700mA, 4.5V Surface Mount 950mV @ 250µA 0.95 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 41 pF @ 10 V - - DFN0606-3 - 360mW (Ta), 2.23W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMPB15XN,115

PMPB15XN,115

MOSFET N-CH 20V 7.3A DFN2020MD-6

Nexperia USA Inc.

9,796 -
PMPB15XN,115

数据表

- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.3A (Ta) 1.8V, 4.5V 21mOhm @ 7.3A, 4.5V Surface Mount 900mV @ 250µA 20.2 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 1240 pF @ 10 V - - DFN2020MD-6 - 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMPB48EP,115

PMPB48EP,115

MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6

Nexperia USA Inc.

2,154 -
PMPB48EP,115

数据表

- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.7A (Ta) 4.5V, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 26 nC @ 10 V 30 V ±20V 860 pF @ 15 V - - DFN2020MD-6 - 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMH550UPEH

PMH550UPEH

MOSFET P-CH 20V 800MA DFN0606-3

Nexperia USA Inc.

6,613 -
PMH550UPEH

数据表

TrenchMOS™ 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800mA (Ta) 1.8V, 4.5V 640mOhm @ 600mA, 4.5V Surface Mount 950mV @ 250µA 0.9 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 54.8 pF @ 10 V - - DFN0606-3 - 360mW (Ta), 2.23W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMH850UPEH

PMH850UPEH

MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3

Nexperia USA Inc.

4,063 -
PMH850UPEH

数据表

TrenchMOS™ 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600mA (Ta) 1.5V, 4.5V 1Ohm @ 500mA, 4.5V Surface Mount 950mV @ 250µA 0.9 nC @ 4.5 V 30 V ±8V 62.2 pF @ 15 V - - DFN0606-3 - 660mW (Ta), 2.23W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMG85XPH

PMG85XPH

MOSFET P-CH 20V 2A 6TSSOP

Nexperia USA Inc.

2,337 -
PMG85XPH

数据表

- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Tj) 2.5V, 4.5V 115mOhm @ 2A, 4.5V Surface Mount 1.15V @ 250µA 7.2 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 560 pF @ 10 V - - 6-TSSOP - 375mW (Ta), 2.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PML260SN,118

PML260SN,118

MOSFET N-CH 200V 8.8A DFN3333-8

Nexperia USA Inc.

9,832 -
PML260SN,118

数据表

TrenchMOS™ 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8.8A (Tc) 6V, 10V 294mOhm @ 2.6A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA 13.3 nC @ 10 V 200 V ±20V 657 pF @ 30 V - - DFN3333-8 - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMX700ENZ

PMX700ENZ

PMX700ENZ

Nexperia USA Inc.

25,883 -
PMX700ENZ

数据表

- 0201 (0603 Metric) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300mA (Ta) 4.5V, 10V 800mOhm @ 400mA, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 1.1 nC @ 10 V 60 V ±20V 39 pF @ 30 V - - DFN0603-3 (SOT8013) - 300mW (Ta), 4.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMX800ENEZ

PMX800ENEZ

PMX800ENEZ

Nexperia USA Inc.

14,950 -
PMX800ENEZ

数据表

- 0201 (0603 Metric) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500mA (Ta) 4.5V, 10V 1.1Ohm @ 400mA, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 1 nC @ 10 V 60 V ±20V 32 pF @ 30 V - - DFN0603-3 (SOT8013) - 300mW (Ta), 4.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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