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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
SICW060N065H4-BP

SICW060N065H4-BP

SIC MOSFETS,TO-247-4

Micro Commercial Co

5,998 -
SICW060N065H4-BP

数据表

- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 60A (Tc) 18V 75mOhm @ 20A, 18V Through Hole 4.5V @ 20mA 121 nC @ 18 V 650 V +18V, -5V 1850 pF @ 400 V - - TO-247-4 - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SICW050N065H4-BP

SICW050N065H4-BP

SIC MOSFET,TO-247-4

Micro Commercial Co

5,141 -
SICW050N065H4-BP

数据表

- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 60A (Tc) 20V 65mOhm @ 20A, 20V Through Hole 4.5V @ 20mA 121 nC @ 20 V 650 V +20V, -5V 1850 pF @ 400 V - - TO-247-4 - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
MCAC90N04-TP

MCAC90N04-TP

MOSFET N-CH 40 90A DFN5060

Micro Commercial Co

246 -
MCAC90N04-TP

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90A (Tc) - 4.5mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2V @ 250µA 95 nC @ 10 V 40 V ±20V 2420 pF @ 20 V - - DFN5060 - 55W -55°C ~ 175°C (TJ)
MCG65N03-TP

MCG65N03-TP

N-CHANNEL MOSFET, DFN3333

Micro Commercial Co

9,841 -
MCG65N03-TP

数据表

- 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 65A 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 92.7 nC @ 10 V 30 V ±20V 4498 pF @ 15 V - - DFN3333 - 75W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ)
MCG50N04-TP

MCG50N04-TP

N-CHANNEL MOSFET,DFN3333

Micro Commercial Co

9,901 -
MCG50N04-TP

数据表

- 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A 4.5V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 102 nC @ 20 V 40 V ±20V 4645 pF @ 20 V - - DFN3333 - 75W -55°C ~ 150°C (TJ)
MCG16P03-TP

MCG16P03-TP

MOSFET P-CH 30V 16A DFN3030

Micro Commercial Co

28,955 -
MCG16P03-TP

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 1.9V @ 250µA 45.6 nC @ 10 V 30 V ±20V 2130 pF @ 25 V - - DFN3030 - 35W -55°C ~ 150°C (TJ)
MSJW47N60A-BP

MSJW47N60A-BP

MOSFET

Micro Commercial Co

2,583 -
MSJW47N60A-BP

数据表

- TO-247-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 47A (Tc) 10V 91mOhm @ 10A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 123 nC @ 10 V 600 V ±30V 4476 pF @ 300 V - - TO-247-3 - 278W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ)
MCAC38N10YA-TP

MCAC38N10YA-TP

MOSFET N-CH 100 38A DFN5060

Micro Commercial Co

13,708 -
MCAC38N10YA-TP

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 38A 10V 20mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 17.5 nC @ 10 V 100 V ±20V 1209 pF @ 50 V - - DFN5060 - 60W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ)
SICBG160N120A-TP

SICBG160N120A-TP

MOSFET N-CH 1200V 18A TO263-7

Micro Commercial Co

3,846 -
SICBG160N120A-TP

数据表

- TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 18A (Tc) 16V, 20V 140mOhm @ 9A, 20V Surface Mount 3V @ 2.5mA 47 nC @ 18 V 1200 V +22V, -5V 780 pF @ 1000 V - - TO-263-7 - 116W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
MSJWFR60N60-BP

MSJWFR60N60-BP

N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

Micro Commercial Co

2,153 -
MSJWFR60N60-BP

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 58A (Tc) 10V 30mOhm @ 37.5A, 10V Through Hole 5V @ 5mA 197 nC @ 10 V 600 V ±30V 8078 pF @ 100 V - - TO-247AB - 223W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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