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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
MSJPF11N65A-BP

MSJPF11N65A-BP

N-CHANNEL MOSFET,TO-220F

Micro Commercial Co

4,827 -
MSJPF11N65A-BP

数据表

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A 10V 380mOhm @ 3.2A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 21 nC @ 10 V 650 V ±30V 763 pF @ 25 V - - TO-220F - 31.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
MCACL200N04Y-TP

MCACL200N04Y-TP

MOSFET N-CH 40 200A DFN5060

Micro Commercial Co

9,823 -
MCACL200N04Y-TP

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200A 4.5V, 10V 1.35mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 132 nC @ 10 V 40 V ±20V 7100 pF @ 25 V - - DFN5060 - 120W -55°C ~ 150°C (TJ)
MCU65N10YA-TP

MCU65N10YA-TP

N-CHANNEL MOSFET,DPAK

Micro Commercial Co

4,793 -
MCU65N10YA-TP

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 65A (Tc) 10V 9.5mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V 100 V ±20V 2431 pF @ 50 V - - TO-252 (DPAK) - 96W -55°C ~ 150°C (TJ)
MSJU11N65A-TP

MSJU11N65A-TP

N-CHANNEL MOSFET, DPAK

Micro Commercial Co

4,203 -
MSJU11N65A-TP

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A 10V 380mOhm @ 3.2A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 21 nC @ 10 V 650 V ±30V 763 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 83.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
MCAC90N10Y-TP

MCAC90N10Y-TP

MOSFET N-CH 100 90A DFN5060

Micro Commercial Co

9,968 -
MCAC90N10Y-TP

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90A - 5.2mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V 100 V ±20V 4600 pF @ 50 V - - DFN5060 - 120W -55°C ~ 150°C (TJ)
MCAC95N065Y-TP

MCAC95N065Y-TP

MOSFET N-CH 65 95A DFN5060

Micro Commercial Co

4,895 -
MCAC95N065Y-TP

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 95A (Tc) 4.5V, 10V 2.5mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.2V @ 250µA 93 nC @ 10 V 65 V ±20V 5950 pF @ 25 V - - DFN5060 - 120W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ)
SICW080N120H-BP

SICW080N120H-BP

SIC MOSFET,TO-247AB

Micro Commercial Co

2,666 -
SICW080N120H-BP

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 33A (Tc) 20V 110mOhm @ 15A, 20V Through Hole 4.5V @ 20mA 131 nC @ 20 V 1200 V +25V, -10V 2644 pF @ 800 V - - TO-247AB - 224W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SICW060N065H-BP

SICW060N065H-BP

SIC MOSFETS,TO-247AB

Micro Commercial Co

3,764 -
SICW060N065H-BP

数据表

- TO-247-3 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 60A (Tc) 18V 75mOhm @ 20A, 18V Through Hole 4.5V @ 20mA 121 nC @ 18 V 650 V +22V, -10V 1850 pF @ 400 V - - TO-247AB - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SICW050N065H-BP

SICW050N065H-BP

SIC MOSFET,TO-247AB

Micro Commercial Co

8,650 -
SICW050N065H-BP

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 60A (Tc) 20V 65mOhm @ 20A, 20V Through Hole 4.5V @ 20mA 121 nC @ 20 V 650 V +25V, -10V 1850 pF @ 400 V - - TO-247AB - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SICW080N120H4-BP

SICW080N120H4-BP

SIC MOSFET,TO-247-4

Micro Commercial Co

5,959 -
SICW080N120H4-BP

数据表

- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 33A (Tc) 20V 110mOhm @ 15A, 20V Through Hole 4.5V @ 20mA 131 nC @ 20 V 1200 V +20V, -5V 2644 pF @ 800 V - - TO-247-4 - 224W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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