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场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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HUF75637S3

HUF75637S3

MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

Fairchild Semiconductor

5,836 -
HUF75637S3

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
HUF75842S3

HUF75842S3

MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK

Fairchild Semiconductor

1,600 -
HUF75842S3

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
FDMD8260L

FDMD8260L

MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER

Fairchild Semiconductor

118,715 -
FDMD8260L

数据表

PowerTrench® 12-PowerWDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 5.8mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 68nC @ 10V - 5245pF @ 30V 1W 12-Power3.3x5 -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
NDM3000

NDM3000

MOSFET 3N/3P-CH 30V 3A 16SOIC

Fairchild Semiconductor

14,847 -
NDM3000

数据表

- 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 30V 3A 90mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V Logic Level Gate 375pF @ 10V, 360pF @ 10V 1.4W 16-SOIC -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
FDI9406

FDI9406

MOSFET N-CH 40V 110A

Fairchild Semiconductor

469 -
FDI9406

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
FDS8947A

FDS8947A

MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC

Fairchild Semiconductor

1,260 -
FDS8947A

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 52mOhm @ 4A, 10V 3V @ 250µA 27nC @ 10V Logic Level Gate 730pF @ 15V 900mW 8-SOIC -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
FDB9403

FDB9403

MOSFET N-CH

Fairchild Semiconductor

8,787 -
FDB9403

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
FDB3652SB82059

FDB3652SB82059

MOSFET N-CH

Fairchild Semiconductor

500 -
FDB3652SB82059

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
FDM3300NZ

FDM3300NZ

MOSFET 2N-CH 20V 10A POWER33

Fairchild Semiconductor

86,732 -
FDM3300NZ

数据表

PowerTrench® 8-PowerVDFN Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 23mOhm @ 10A, 4.5V 1.5V @ 250µA 17nC @ 4.5V Logic Level Gate 1610pF @ 10V 900mW Power33 -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
RF3S49092SM9A

RF3S49092SM9A

MOSFET N/P-CH 12V 20A TO263-5

Fairchild Semiconductor

2,259 -
RF3S49092SM9A

数据表

- TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel 12V 20A (Tc), 10A (Tc) 60mOhm @ 20A, 5V, 140mOhm @ 10A, 5V 1V @ 250µA 25nC @ 10V, 24nC @ 10V Logic Level Gate 750pF @ 10V, 775pF @ 10V 50W (Tc) TO-263-5 -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount - -
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