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场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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FDW2510NZ

FDW2510NZ

MOSFET 2N-CH 20V 6.4A 8TSSOP

Fairchild Semiconductor

19,149 -
FDW2510NZ

数据表

PowerTrench® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 20V 6.4A 24mOhm @ 6.4A, 4.5V 1.5V @ 250µA 12nC @ 4.5V Logic Level Gate 870pF @ 10V 1.1W 8-TSSOP -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
NDS8936

NDS8936

MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC

Fairchild Semiconductor

5,041 -
NDS8936

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 30V 5.3A 35mOhm @ 5.3A, 10V 2.8V @ 250µA 30nC @ 10V Logic Level Gate 720pF @ 15V 900mW 8-SOIC -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
FDU6670AS

FDU6670AS

MOSFET N-CH 30V

Fairchild Semiconductor

3,585 -
FDU6670AS

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
FDPF9N50NZ-FS

FDPF9N50NZ-FS

MOSFET N-CH 500V

Fairchild Semiconductor

2,000 -
FDPF9N50NZ-FS

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
FDMS3616S

FDMS3616S

MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8PQFN

Fairchild Semiconductor

65,810 -
FDMS3616S

数据表

PowerTrench® 8-PowerTDFN Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 16A, 18A 6.6mOhm @ 16A, 10V 2.5V @ 250µA 27nC @ 10V Logic Level Gate 1765pF @ 13V 1W 8-PQFN (5x6) - Surface Mount - -
FDQ7238AS

FDQ7238AS

MOSFET 2N-CH 30V 14A/11A 14SOIC

Fairchild Semiconductor

5,000 -
FDQ7238AS

数据表

PowerTrench® 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 30V 14A, 11A 13.2mOhm @ 11A, 10V 3V @ 250µA 24nC @ 10V Logic Level Gate 920pF @ 15V 1.3W, 1.1W 14-SOIC -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
RFD20N03SM9AR4770

RFD20N03SM9AR4770

MOSFET N-CH 30V 20A

Fairchild Semiconductor

1,578 -
RFD20N03SM9AR4770

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
IRF640ACP001

IRF640ACP001

MOSFET N-CH 200V

Fairchild Semiconductor

1,250 -
IRF640ACP001

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
FDS6912

FDS6912

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Fairchild Semiconductor

38,253 -
FDS6912

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 30V 6A (Ta) 28mOhm @ 6A, 10V 3V @ 250µA 10nC @ 5V Logic Level Gate 740pF @ 15V 2W (Ta) 8-SOIC -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
FDB12N50UTM

FDB12N50UTM

MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

Fairchild Semiconductor

1,240 -
FDB12N50UTM

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
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