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场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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SCH2408-TL-E-ON

SCH2408-TL-E-ON

MOSFET N-CH

onsemi

30,000 -
SCH2408-TL-E-ON

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
MCH6634-TL-E

MCH6634-TL-E

PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

onsemi

5,875 -
MCH6634-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
NTND3184NZTAG

NTND3184NZTAG

MOSFET 2N-CH 20V 0.22A 6XLLGA

onsemi

2,616 -
NTND3184NZTAG

数据表

- 6-XFLGA Tape & Reel (TR) Active - 2 N-Channel (Dual) 20V 220mA (Ta) 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V 1V @ 250µA - - 12.3pF @ 15V - 6-XLLGA (.90x.65) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
NTZD3152PT1H

NTZD3152PT1H

MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563

onsemi

8,827 -
NTZD3152PT1H

数据表

- SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) 20V 430mA 900mOhm @ 430mA, 4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V - 175pF @ 16V 250mW SOT-563 -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
SCH2819-TL-H

SCH2819-TL-H

NCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES

onsemi

255,000 -
SCH2819-TL-H

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
NTZD3158PT1G

NTZD3158PT1G

MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563

onsemi

2,287 -
NTZD3158PT1G

数据表

- SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) 20V 430mA 900mOhm @ 430mA, 4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V - 175pF @ 16V 250mW SOT-563 - Surface Mount - -
SCH2830-S-TL-E

SCH2830-S-TL-E

PCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES

onsemi

139,000 -
SCH2830-S-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
CPH6619-TL-E

CPH6619-TL-E

PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

onsemi

12,000 -
CPH6619-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
MCH6644-C-TL-E

MCH6644-C-TL-E

PCH+NCH 4V DRIVE SERIES

onsemi

48,000 -
MCH6644-C-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
SCH2817-TL-E

SCH2817-TL-E

NCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES

onsemi

40,000 -
SCH2817-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
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