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场效应晶体管（FET）、MOSFET 阵列
| 图片 | 厂商料号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据表 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | FET 特性 | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | 功率 - 最大值 | 供应商设备封装 | 工作温度 | 安装类型 | 等级 | 认证 |
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NVVR21A65M2WSBSILICON CARBINE (SIC) MODULE - E onsemi |
3,366 | - |
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数据表 |
- | 15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm) | Bulk | Discontinued at Digi-Key | Silicon Carbide (SiC) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 1200V (1.2kV) | - | - | - | - | Silicon Carbide (SiC) | - | - | AHPM15-CDE | - | Through Hole | Automotive | AEC-Q101 |
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FDC6327C-F169DUAL N & P-CHANNEL POWERTRENCH M onsemi |
6,856 | - |
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数据表 |
PowerTrench® | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Bulk | Discontinued at Digi-Key | MOSFET (Metal Oxide) | N and P-Channel | 20V | 2.7A (Ta), 1.9A (Ta) | 80mOhm @ 2.7A, 4.5V, 170mOhm @ 1.6A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 4.5nC @ 4.5V, 4nC @ 4.5V | - | 315pF @ 10V, 325pF @ 10V | 700mW (Ta) | TSOT-23-6 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | - | - |
