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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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S3D10065E

S3D10065E

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK

SMC Diode Solutions

2,500 -
S3D10065E

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 621pF @ 0V, 1MHz 10A - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
S3D10065G

S3D10065G

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

SMC Diode Solutions

496 -
S3D10065G

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 621pF @ 0V, 1MHz 10A - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 175°C
S3D30065A

S3D30065A

DIODE SIL CARB 650V 84A TO220AC

SMC Diode Solutions

996 -
S3D30065A

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 140 µA @ 650 V 2307pF @ 0V, 100MHz 84A Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
S4D10120A

S4D10120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC

SMC Diode Solutions

260 -
S4D10120A

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 772pF @ 0V, 1MHz 10A - - Through Hole TO-220AC (TO-220-2) -55°C ~ 175°C
S3D20065A

S3D20065A

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC

SMC Diode Solutions

289 -
S3D20065A

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 1200pF @ 0V, 1MHz 20A - - Through Hole TO-220AC (TO-220-2) -55°C ~ 175°C
S3D20065H

S3D20065H

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247AC

SMC Diode Solutions

420 -
S3D20065H

数据表

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 1200pF @ 0V, 1MHz 20A - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
S4D10120E

S4D10120E

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A DPAK

SMC Diode Solutions

1,286 -
S4D10120E

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 772pF @ 0V, 1MHz 10A - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
S4D15120A

S4D15120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220AC

SMC Diode Solutions

192 -
S4D15120A

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 35 µA @ 1200 V 1200pF @ 0V, 1MHz 15A - - Through Hole TO-220AC (TO-220-2) -55°C ~ 175°C
S3D30065D1

S3D30065D1

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

255 -
S3D30065D1

数据表

- TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 140 µA @ 650 V 2307pF @ 0V, 100MHz 84A - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
121SPC045A

121SPC045A

DIODE SCHOTTKY 45V 120A SPD-3A

SMC Diode Solutions

340 -
121SPC045A

数据表

- SPD-3A Bulk Active Schottky 45 V 660 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2.4 mA @ 45 V 4800pF @ 5V, 1MHz 120A - - Surface Mount SPD-3A -55°C ~ 175°C
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