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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
S3D03065F

S3D03065F

DIODE SIL CARB 650V 3A ITO220AC

SMC Diode Solutions

227 -
S3D03065F

数据表

- TO-220-2 Full Pack Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 3 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 650 V 179pF @ 0V, 1MHz 3A - - Through Hole ITO-220AC (TO-220-2F) -55°C ~ 175°C
SDURF10P100B

SDURF10P100B

DIODE GEN PURP 1KV 10A ITO220AC

SMC Diode Solutions

783 -
SDURF10P100B

数据表

- TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 1000 V 1.8 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 10 µA @ 1000 V - 10A - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
SDUR6060W

SDUR6060W

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC

SMC Diode Solutions

4,339 -
SDUR6060W

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 100 µA @ 600 V - 60A - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 150°C
S3D03065E

S3D03065E

DIODE SIL CARBIDE 650V 3A DPAK

SMC Diode Solutions

735 -
S3D03065E

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 3 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 650 V 179pF @ 0V, 1MHz 3A - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
S3D06065A

S3D06065A

DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC

SMC Diode Solutions

949 -
S3D06065A

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 8 µA @ 650 V 382pF @ 0V, 1MHz 6A - - Through Hole TO-220AC (TO-220-2) -55°C ~ 175°C
S3D06065I

S3D06065I

DIODE SIL CARB 650V 6A TO220

SMC Diode Solutions

891 -
S3D06065I

数据表

- TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 8 µA @ 650 V 382pF @ 0V, 1MHz 6A - - Through Hole TO-220-Isolation -55°C ~ 175°C
S3D06065E

S3D06065E

DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK

SMC Diode Solutions

682 -
S3D06065E

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 8 µA @ 650 V 382pF @ 0V, 1MHz 6A - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
S3D10065A

S3D10065A

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

SMC Diode Solutions

1,964 -
S3D10065A

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 621pF @ 0V, 1MHz 10A - - Through Hole TO-220AC (TO-220-2) -55°C ~ 175°C
S3D06065G

S3D06065G

DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK

SMC Diode Solutions

769 -
S3D06065G

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 8 µA @ 650 V 382pF @ 0V, 1MHz 6A - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 175°C
S4D05120A

S4D05120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220AC

SMC Diode Solutions

853 -
S4D05120A

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 302pF @ 0V, 1MHz 5A - - Through Hole TO-220AC (TO-220-2) -55°C ~ 175°C
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