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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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SK1840D

SK1840D

DIODE SCHOTTKY 40V 18A D2PAK

SMC Diode Solutions

4,797 -
SK1840D

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 500 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 40 V - 18A - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 150°C
S3D08065A

S3D08065A

DIODE SIL CARB 650V 23A TO220AC

SMC Diode Solutions

1,438 -
S3D08065A

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 51 µA @ 650 V 661pF @ 0V, 1MHz 23A - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
STD12100

STD12100

DIODE SCHOTTKY 100V 12A DPAK

SMC Diode Solutions

6,456 -
STD12100

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 750 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 300 µA @ 100 V 660pF @ 5V, 1MHz 12A - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 150°C
12TQ035

12TQ035

DIODE SCHOTTKY 35V 15A TO220AC

SMC Diode Solutions

3,872 -
12TQ035

数据表

- TO-220-2 Tube Active Schottky 35 V 560 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 35 V 900pF @ 5V, 1MHz 15A - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
S4D04120E

S4D04120E

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 4A DPAK

SMC Diode Solutions

1,787 -
S4D04120E

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 302pF @ 0V, 1MHz 4A - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
S3D10065F

S3D10065F

DIODE SIL CARB 650V 10A ITO220AC

SMC Diode Solutions

285 -
S3D10065F

数据表

- TO-220-2 Full Pack Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 621pF @ 0V, 1MHz 10A - - Through Hole ITO-220AC (TO-220-2F) -55°C ~ 175°C
S4D05120G

S4D05120G

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A D2PAK

SMC Diode Solutions

702 -
S4D05120G

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 302pF @ 0V, 1MHz 5A - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 175°C
S3D10065I

S3D10065I

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220

SMC Diode Solutions

125 -
S3D10065I

数据表

- TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 621pF @ 0V, 1MHz 10A - - Through Hole TO-220-Isolation -55°C ~ 175°C
S3D10065D1

S3D10065D1

DIODE SIL CARB 650V 10A TO247AD

SMC Diode Solutions

215 -
S3D10065D1

数据表

- TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 621pF @ 0V, 1MHz 10A - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
S4D10120F

S4D10120F

DIODE SIC 1.2KV 10A ITO220AC

SMC Diode Solutions

788 -
S4D10120F

数据表

- TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 772pF @ 0V, 1MHz 10A - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
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