富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
GP2D020A065B

GP2D020A065B

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2

SemiQ

8,569 -
GP2D020A065B

数据表

Amp+™ TO-247-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.65 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 200 µA @ 650 V 1054pF @ 1V, 1MHz 20A - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP2D060A120B

GP2D060A120B

DIODE SIL CARB 1.2KV 60A TO247-2

SemiQ

4,462 -
GP2D060A120B

数据表

Amp+™ TO-247-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 60 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 500 µA @ 1200 V 3809pF @ 1V, 1MHz 60A - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GSXD300A170S2D5

GSXD300A170S2D5

DIODE GP 1.7KV 300A ADD-A-PAK

SemiQ

2,606 -
GSXD300A170S2D5

数据表

Amp+™ ADD-A-PAK (3) Bulk Obsolete Standard 1700 V 1.9 V @ 300 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 540 ns - - 300A - - Chassis Mount ADD-A-PAK® -40°C ~ 150°C
GP3D030A065B

GP3D030A065B

DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2

SemiQ

142 -
GP3D030A065B

数据表

Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.65 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 75 µA @ 650 V 1247pF @ 1V, 1MHz 30A - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
共 44 条记录«上一页12345下一页»
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户