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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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RFS60TZ6SGC13

RFS60TZ6SGC13

DIODE GEN PURP 650V 60A TO247GE

Rohm Semiconductor

566 -
RFS60TZ6SGC13

数据表

- TO-247-2 Tube Not For New Designs Standard 650 V 2.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 10 µA @ 650 V - 60A - - Through Hole TO-247GE 175°C
SCS210KGC17

SCS210KGC17

DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

397 -
SCS210KGC17

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 550pF @ 1V, 1MHz 10A - - Through Hole TO-220ACFP 175°C
SCS220AEGC11

SCS220AEGC11

DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO247

Rohm Semiconductor

345 -
SCS220AEGC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.55 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 600 V 730pF @ 1V, 1MHz 20A - - Through Hole TO-247 175°C
RB151L-40TE25

RB151L-40TE25

DIODE SCHOTTKY 40V PMDS

Rohm Semiconductor

6,532 -
RB151L-40TE25

数据表

- DO-214AC, SMA Tape & Reel (TR) Not For New Designs Schottky 40 V - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - - - - - - Surface Mount PMDS -
SCS215AJHRTLL

SCS215AJHRTLL

DIODE SIL CARB 650V 15A TO263AB

Rohm Semiconductor

2,008 -
SCS215AJHRTLL

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.55 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 600 V 550pF @ 1V, 1MHz 15A Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB 175°C (Max)
SCS220AJHRTLL

SCS220AJHRTLL

DIODE SIL CARB 650V 20A TO263AB

Rohm Semiconductor

2,697 -
SCS220AJHRTLL

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.55 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 600 V 730pF @ 1V, 1MHz 20A Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB 175°C (Max)
SCS220KGC17

SCS220KGC17

DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

991 -
SCS220KGC17

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.6 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 1200 V 1050pF @ 1V, 1MHz 20A - - Through Hole TO-220ACFP 175°C
RBLQ3LAM10TR

RBLQ3LAM10TR

TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 3A,

Rohm Semiconductor

2,293 -
RBLQ3LAM10TR

数据表

- SOD-128 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 100 V 640 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 30 µA @ 100 V 140pF @ 4V, 1MHz 3A - - Surface Mount PMDTM 175°C
RB541VM-30FHTE-17

RB541VM-30FHTE-17

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA UMD2

Rohm Semiconductor

4 -
RB541VM-30FHTE-17

数据表

- SC-90, SOD-323F Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 30 V 640 mV @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 45 µA @ 30 V - 200mA Automotive AEC-Q101 Surface Mount UMD2 125°C (Max)
RSX205L-30TE25

RSX205L-30TE25

DIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDS

Rohm Semiconductor

4 -
RSX205L-30TE25

数据表

- DO-214AC, SMA Tape & Reel (TR) Not For New Designs Schottky 30 V 490 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 30 V - 2A - - Surface Mount PMDS 150°C
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