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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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RSX078BM2SFHTL

RSX078BM2SFHTL

200V 5A, TO-252, ULTRA LOW IR SB

Rohm Semiconductor

2,480 -
RSX078BM2SFHTL

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Schottky 200 V 920 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 nA @ 200 V - 5A Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252 175°C
RF501BGE2STL

RF501BGE2STL

DIODE GEN PURP 200V 5A TO252GE

Rohm Semiconductor

2,174 -
RF501BGE2STL

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 920 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 200 V - 5A - - Surface Mount TO-252GE 150°C
RB150M-30TR

RB150M-30TR

DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A PMDS

Rohm Semiconductor

5,082 -
RB150M-30TR

数据表

- DO-214AC, SMA Tape & Reel (TR) Not For New Designs Schottky 30 V 480 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 30 V - 1.5A - - Surface Mount PMDS 150°C (Max)
RFUH5TF6SC9

RFUH5TF6SC9

DIODE GEN PURP 600V 5A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

996 -
RFUH5TF6SC9

数据表

- TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 2.8 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 10 µA @ 600 V - 5A - - Through Hole TO-220ACFP 150°C
RF1501TF3SC9

RF1501TF3SC9

DIODE GEN PURP 350V 20A TO220NFM

Rohm Semiconductor

960 -
RF1501TF3SC9

数据表

- TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 350 V 1.5 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 10 µA @ 300 V - 20A - - Through Hole TO-220NFM 150°C
RFN5BGE6STL

RFN5BGE6STL

DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE

Rohm Semiconductor

2,440 -
RFN5BGE6STL

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 1.55 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 600 V - 5A - - Surface Mount TO-252GE 150°C
RB088RSM10STFTL1

RB088RSM10STFTL1

100V 10A, TO-277GE, ULTRA LOW IR

Rohm Semiconductor

3,470 -
RB088RSM10STFTL1

数据表

- TO-277, 3-PowerDFN Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 840 mV @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 3.7 µA @ 100 V - 10A Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-277A 175°C
RF305BGE6STL

RF305BGE6STL

DIODE GEN PURP 600V 3A TO252GE

Rohm Semiconductor

2,341 -
RF305BGE6STL

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 1.7 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 10 µA @ 600 V - 3A - - Surface Mount TO-252GE 150°C
RFN20NS6STL

RFN20NS6STL

DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Rohm Semiconductor

290 -
RFN20NS6STL

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 1.55 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 10 µA @ 600 V - 20A - - Surface Mount LPDS 150°C (Max)
RB048RSM15STFTL1

RB048RSM15STFTL1

150V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR

Rohm Semiconductor

2,887 -
RB048RSM15STFTL1

数据表

- TO-277, 3-PowerDFN Tape & Reel (TR) Active Schottky 150 V 880 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 3.7 µA @ 150 V - 8A Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-277A 175°C
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