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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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NDSH10120C-F155

NDSH10120C-F155

SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L

onsemi

450 -
NDSH10120C-F155

数据表

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 680pF @ 1V, 100kHz 12A - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
MBRB4030

MBRB4030

DIODE SCHOTTKY 30V 40A D2PAK

onsemi

2,653 -
MBRB4030

数据表

SWITCHMODE™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete Schottky 30 V 550 mV @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 350 µA @ 30 V - 40A - - Surface Mount D2PAK -65°C ~ 175°C
FFSPF2065A

FFSPF2065A

DIODE SIC 650V 20A TO220F-2FS

onsemi

1,284 -
FFSPF2065A

数据表

- TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 1085pF @ 1V, 100kHz 20A - - Through Hole TO-220F-2FS -55°C ~ 175°C
FFSH3065A

FFSH3065A

DIODE SIL CARB 650V 26A TO247-2

onsemi

2,045 -
FFSH3065A

数据表

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 1705pF @ 1V, 100kHz 26A - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
RURG80100-F085

RURG80100-F085

DIODE GEN PURP 1KV 80A TO247-2

onsemi

3,766 -
RURG80100-F085

数据表

- TO-247-2 Tube Obsolete Avalanche 1000 V 1.9 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 250 µA @ 80 V - 80A Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -65°C ~ 175°C
MBRB4030T4G

MBRB4030T4G

DIODE SCHOTTKY 30V 40A D2PAK

onsemi

4,101 -
MBRB4030T4G

数据表

SWITCHMODE™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 30 V 550 mV @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 350 µA @ 30 V - 40A - - Surface Mount D2PAK -65°C ~ 175°C
FJH1100_T50R

FJH1100_T50R

DIODE GEN PURP 15V 150MA DO35

onsemi

2,694 -
FJH1100_T50R

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 15 V 1.07 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 10 pA @ 15 V 2pF @ 0V, 1MHz 150mA - - Through Hole DO-35 175°C (Max)
FFB20UP20STM

FFB20UP20STM

DIODE GEN PURP 200V 20A D2PAK

onsemi

6,367 -
FFB20UP20STM

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 200 V 1.15 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 100 µA @ 200 V - 20A - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -65°C ~ 150°C
FFSH10120A

FFSH10120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2

onsemi

277 -
FFSH10120A

数据表

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz 17A - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
FFSH2065A

FFSH2065A

DIODE SIL CARB 650V 25A TO247-2

onsemi

260 -
FFSH2065A

数据表

- TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 1085pF @ 1V, 100kHz 25A - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
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